Silisyòm Carbide SiC poud

Spesifikasyon

1.Non: Silisyòm carbure SiC
2.Purite: 99.9% min
3.Appearacne: gri, vèt, nwa
4.Gwosè patikil: 50nm, 500nm, 1um, 10-50um, 200um, elatriye
5.Pi bon sèvis

Aplikasyon:
High-grade materyèl refractory;Materyèl itilizasyon espesyal pou polisaj abrazif;BEARINGS seramik;Pati motè seramik;Manje wou;Seramik twal;Seramik segondè-frekans;Disk difisil ak yon sipò pou modil multichip;Semi-kondiktè segondè-tanperati ak gwo pouvwa;BEARINGS seramik wo-tanperati;Pati transpò likid ki wo-tanperati;Segondè dite fanm k'ap pile materyèl;Tiyo sele segondè-tanperati;Bouch espre segondè-tanperati;Substra sikwi entegre;Sipò pou katalis;Miwa oswa kouch pou anviwònman ekstrèm iltravyolèt;Nanokonpoze (egzanp, Si3N4/SiC, SiC/polymère);Eleman chofaj rezistans;Ranfòse materyèl pou Al, Al2O3, Mg, ak Ni......

Kondisyon Depo:
Reunion mouye pral afekte pèfòmans dispèsyon li yo ak efè lè l sèvi avèk, Se poutèt sa, pwodwi sa a ta dwe sele nan vakyòm ak estoke nan chanm fre ak sèk epi li pa ta dwe ekspoze a lè.Anplis de sa, pwodwi a ta dwe evite anba estrès.