ကျယ်ပြန့်သော ရေအောက်ပိုင်း အပလီကေးရှင်းများဖြင့် သတ္တု hafnium ၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ အရန်အရန် ကန့်သတ်ချက်

ဟက်ဖ်နီယမ်မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်ရှိသည့် pentacarbide tetratantalum နှင့် hafnium (Ta4HfC5) တို့ကဲ့သို့ ဟာဖ်နီယမ် တန်တလမ် အလွိုင်းသည် အခြားသတ္တုများနှင့် ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။pentacarbide tetratantalum နှင့် hafnium ၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် 4215 ℃ ရောက်ရှိနိုင်ပြီး ၎င်းသည် လက်ရှိတွင် အမြင့်ဆုံး အရည်ပျော်မှတ်ဖြင့် လူသိများသော အရာဖြစ်သည်။

ဟက်ဖ်နီယမ်ဓာတုသင်္ကေတ Hf သည် အကူးအပြောင်းသတ္တုအမျိုးအစားတွင်ပါရှိသော သတ္တုဒြပ်စင်ဖြစ်သည်။၎င်း၏ဒြပ်စင်အသွင်အပြင်သည်ငွေရောင်မီးခိုးရောင်ဖြစ်ပြီးသတ္တုတောက်ပသည်။၎င်းတွင် Mohs မာကျောမှု 5.5၊ အရည်ပျော်မှတ် 2233 ℃ ရှိပြီး ပလပ်စတစ်ဖြစ်သည်။Hafnium သည် လေထဲတွင် အောက်ဆိုဒ်ကို ဖုံးအုပ်ထားနိုင်ပြီး ၎င်း၏ ဂုဏ်သတ္တိများသည် အခန်းအပူချိန်တွင် တည်ငြိမ်သည်။ဟက်ဖ်နီယမ် အမှုန့်သည် လေထဲတွင် အလိုအလျောက် လောင်ကျွမ်းနိုင်ပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် အောက်ဆီဂျင်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် ဓာတ်ပြုနိုင်သည်။Hafnium သည် ရေနှင့် မတုံ့ပြန်ပါ၊ ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်၊ ဆာလ်ဖျူရစ်အက်ဆစ်နှင့် ပြင်းထန်သော အယ်ကာလိုင်းဖြေရှင်းချက်ကဲ့သို့သော အက်ဆစ်များကို မှေးမှိန်စေပါသည်။၎င်းသည် aqua regia နှင့် hydrofluoric acid ကဲ့သို့သော အားကောင်းသော အက်ဆစ်များတွင် ပျော်ဝင်နိုင်ပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

ဒြပ်ဟက်ဖ်နီယမ်1923 ခုနှစ်တွင် ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့သည်။ Hafnium သည် ကမ္ဘာမြေအပေါ်ယံလွှာတွင် ပါဝင်မှုနည်းပါးပြီး 0.00045% သာရှိသည်။၎င်းသည် ယေဘူယျအားဖြင့် သတ္တု ဇာကွန်နီယမ်နှင့် ဆက်စပ်နေပြီး သီးခြားသတ္တုရိုင်းများ မရှိပါ။Beryllium zircon၊ zircon နှင့် အခြားသတ္တုတွင်းများကဲ့သို့သော zirconium မိုင်းအများစုတွင် Hafnium ကို တွေ့ရှိနိုင်သည်။ပထမသတ္တုရိုင်းနှစ်မျိုးတွင် ဟက်ဖ်နီယမ်ပါဝင်မှု မြင့်မားသော်လည်း သိုလှောင်မှုနည်းပြီး ဇာကွန်သည် ဟက်ဖ်နီယမ်၏ အဓိကအရင်းအမြစ်ဖြစ်သည်။တစ်ကမ္ဘာလုံးအတိုင်းအတာအရ ဟက်ဖ်နီယမ်အရင်းအမြစ်များ၏ စုစုပေါင်းအရန်ငွေမှာ တန်ချိန် ၁ သန်းကျော်ရှိသည်။ပိုကြီးသော အရန်နိုင်ငံများတွင် အဓိကအားဖြင့် တောင်အာဖရိက၊ သြစတြေးလျ၊ အမေရိကန်၊ ဘရာဇီး၊ အိန္ဒိယနှင့် အခြားဒေသများ ပါဝင်သည်။ဟက်ဖ်နီယမ်မိုင်းများကို ကွမ်ရှီးနှင့် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အခြားဒေသများတွင်လည်း ဖြန့်ဝေထားသည်။

1925 ခုနှစ်တွင် ဆွီဒင်နှင့် နယ်သာလန်မှ သိပ္ပံပညာရှင် နှစ်ဦးသည် ဟာဖ်နီယမ်ဒြပ်စင်ကို ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့ပြီး ဖလိုရင်းဝင်ရှုပ်ထွေးသော ဆားအပိုင်းပိုင်းပုံဆောင်ခဲနည်းနှင့် သတ္တုဆိုဒီယမ်လျှော့ချရေးနည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ သတ္တုဟက်ဖ်နီယမ်ကို ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။Hafnium တွင် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ နှစ်ခုရှိပြီး အပူချိန် 1300 ℃ အောက်တွင် ရှိသော ဆဋ္ဌဂံသိပ်သည်းသော ထုပ်ပိုးမှုကို ပြသသည် ( α- အပူချိန် 1300 ℃ အထက်တွင် ၊ ၎င်းသည် ကိုယ်ထည်ဗဟိုပြု ကုဗပုံသဏ္ဍာန် ( β- ညီမျှခြင်း ) အဖြစ် တည်ရှိသည် ။Hafnium တွင် တည်ငြိမ်သော အိုင်ဆိုတုပ် ခြောက်ခု ရှိပြီး ဟက်ဖ်နီယမ် ၁၇၄၊ ဟာဖနီယမ် ၁၇၆၊ ဟာဖနီယမ် ၁၇၇၊ ဟာဖနီယမ် ၁၇၈၊ ဟာဖနီယမ် ၁၇၉ နှင့် ဟာဖနီယမ် ၁၈၀ တို့လည်း ပါရှိသည်။ တစ်ကမ္ဘာလုံးအတိုင်းအတာအရ အမေရိကန်နှင့် ပြင်သစ်တို့သည် သတ္တုဟက်ဖ်နီယမ်၏ အဓိက ထုတ်လုပ်သူများဖြစ်သည်။

ဟက်ဖ်နီယမ်၏ အဓိကဒြပ်ပေါင်းများ ပါဝင်သည်။ဟာဖနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်င (HfO2), hafnium tetrachloride (HfCl4) နှင့် ဟာဖ်နီယမ်ဟိုက်ဒရောဆိုဒ် (H4HfO4)။သတ္တုထုတ်လုပ်ရန် Hafnium dioxide နှင့် hafnium tetrachloride ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ဟက်ဖ်နီယမ်, ဟာဖနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်hafnium သတ္တုစပ်များကို ပြင်ဆင်ရာတွင်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပြီး အမျိုးမျိုးသော hafnium ဒြပ်ပေါင်းများကို ပြင်ဆင်ရာတွင်လည်း hafnium hydroxide ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။Hafnium သည် မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်ရှိသည့် pentacarbide tetratantalum နှင့် hafnium (Ta4HfC5) တို့ကဲ့သို့ ဟာဖနီယမ် တန်တလမ် အလွိုင်းကို အခြားသတ္တုများနှင့် သတ္တုစပ်များ ပြုလုပ်နိုင်သည်။pentacarbide tetratantalum နှင့် hafnium ၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် 4215 ℃ ရောက်ရှိနိုင်ပြီး ၎င်းသည် လက်ရှိတွင် အမြင့်ဆုံး အရည်ပျော်မှတ်ဖြင့် လူသိများသော အရာဖြစ်သည်။

Xinsijie Industry Research Center မှ ထုတ်ပြန်သော "2022-2026 Deep Market Research and Investment Strategy Protegy Response Report" အရ သတ္တု Hafnium ကို incandescent lamp filaments၊ X-ray tube cathodes နှင့် processor gate dielectrics များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သတ္တု hafnium ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ;Hafnium tungsten alloy နှင့် hafnium molybdenum alloy ကို ဗို့အားမြင့် discharge tube electrodes များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပြီး hafnium tantalum alloy ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပစ္စည်းများနှင့် tool steels များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ကာဗိုက် ကာဗိုက် (HfC) ဒုံးပျံ နော်ဇယ်များနှင့် လေယာဉ်ရှေ့သို့ အကာအကွယ် အလွှာများအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ဟာဖနီယမ် ဘိုရိုက် (HfB2) ကို အပူချိန်မြင့် သတ္တုစပ်အဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ထို့အပြင် သတ္တုဟက်ဖ်နီယမ်သည် ကြီးမားသော နျူထရွန် စုပ်ယူမှု ဖြတ်ပိုင်းပါရှိပြီး အဏုမြူဓာတ်ပေါင်းဖိုများအတွက် ထိန်းချုပ်ပစ္စည်းနှင့် အကာအကွယ်ကိရိယာအဖြစ်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။

Xinsijie မှစက်မှုလုပ်ငန်းလေ့လာသုံးသပ်သူများသည် ဓာတ်တိုးခြင်းခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့် လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူမှုတို့ကြောင့် Hafnium သည် သတ္တုများ၊ သတ္တုစပ်များ၊ ဒြပ်ပေါင်းများနှင့် အခြားသောနယ်ပယ်များဖြစ်သည့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ရေအောက်ပိုင်းအသုံးချပရိုဂရမ်များကို ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုနိုင်သည်ဟု ဖော်ပြခဲ့သည်။ အပူချိန်မြင့်သောပစ္စည်းများ၊ မာကျောသောသတ္တုစပ်ပစ္စည်းများနှင့် အနုမြူစွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းများ။ပစ္စည်းအသစ်များ၊ အီလက်ထရွန်းနစ်သတင်းအချက်အလက်နှင့် အာကာသယာဉ်များကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းများ အရှိန်အဟုန်ဖြင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ hafnium ၏ အသုံးချနယ်ပယ်များသည် အဆက်မပြတ် ချဲ့ထွင်လာပြီး ထုတ်ကုန်အသစ်များ အဆက်မပြတ်ထွက်ပေါ်လာလျက်ရှိသည်။အနာဂတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး အလားအလာများသည် အလားအလာကောင်းများ ရှိနေသည်။