टर्नरी थर्मोइलेक्ट्रिक बिस्मथ टेल्युराइड P-प्रकार Bi0.5Sb1.5Te3 आणि N-प्रकार Bi2Te2.7Se0.3 पुरवठा करा
थोडक्यात परिचय
उत्पादनाचे नांव:पी-प्रकार Bi0.5Sb1.5Te3
एन-प्रकार Bi2Te2.7Se0.3
शुद्धता: 99.99%, 99.999%
दिसणेnce: ब्लॉक इनगॉट किंवा पावडर
ब्रँड: Epoch-Chem
टर्नरी थर्मोइलेक्ट्रिक बिस्मथ टेल्युराइडचा पुरवठा करापी-प्रकार Bi0.5Sb1.5Te3आणिएन-प्रकार Bi2Te2.7Se0.3
कामगिरी
TIG-BiTe-P/N-2 थर्मोइलेक्ट्रिक पिंड हे Bi, Sb, Te, Se, विशेष डोपिंग आणि आमच्या अद्वितीय क्रिस्टलायझिंग प्रक्रियेच्या मिश्रधातूसह उगवले जाते.Bi2Te3-आधारित थर्मोइलेक्ट्रिक इनगॉट विशेषत: 100℃(373K) ते 350℃(623K) पर्यंतच्या उष्णतेच्या स्त्रोताला विजेमध्ये रूपांतरित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या थर्मोइलेक्ट्रिक मॉड्युल्स बनवण्यासाठी खास उगवले जाते आणि ऑप्टिमाइझ केले जाते.साधारणपणे, 300K ते 600K या तापमान श्रेणीतील आमच्या p-प्रकार आणि n-प्रकारच्या पिंडांच्या ZT गुणवत्तेची सरासरी आकृती 0.7 पेक्षा मोठी असते.अशा इनगॉट्ससह बनवलेले मॉड्यूल 250℃ डेल्टा टी सह 5% कार्यक्षमता प्राप्त करू शकते. दरम्यान, आमचे इनगॉट चांगले यांत्रिक सामर्थ्य आणि उच्च स्थिर गुणधर्माने वैशिष्ट्यीकृत आहे, उच्च कार्यक्षमता आणि विश्वसनीय उर्जा निर्मिती मॉड्यूल्सच्या निर्मितीसाठी मुख्य दगड प्रदान करते.
| आयटम | बिस्मथ टेल्युराइड, bi2te3 |
| एन प्रकार | |
| पी प्रकार | Bi0.5Te3.0Sb1.5 |
| तपशील | ब्लॉक इनगॉट किंवा पावडर |
| ZT | १.१५ |
| पॅकिंग | व्हॅक्यूम बॅग पॅकिंग |
| अर्ज | रेफ्रिजरेशन, कूलिंग, थर्मो, विज्ञान तपासणी |
| ब्रँड | युग |
अर्ज
सेमीकंडक्टर रेफ्रिजरेशन, थर्मोइलेक्ट्रिक पावडर निर्मिती इत्यादीमध्ये वापरलेले पी/एन जंक्शन तयार करण्यासाठी.
तपशील
| तपशील | पी-प्रकार | एन-प्रकार | नोंदवले |
| क्रमांक टाइप करा | BiTe- P-2 | BiTe- N-2 | |
| व्यास (मिमी) | ३१±२ | ३१±२ | |
| लांबी (मिमी) | 250±30 | 250±30 | |
| घनता (g/cm3) | ६.८ | ७.८ | |
| विद्युत चालकता | 2000-6000 | 2000-6000 | 300K |
| सीबेक गुणांक α(μ UK-1) | ≥१४० | ≥१४० | 300K |
| थर्मल चालकता k(Wm-1 K) | 2.0-2.5 | 2.0-2.5 | 300K |
| पावडर फॅक्टर P(WmK-2) | ≥०.००५ | ≥०.००५ | 300K |
| ZT मूल्य | ≥0.7 | ≥0.7 | 300K |
| ब्रँड | युग-रसायन | ||
