Ugavi ternary thermoelectric bismuth telluride P-aina ya Bi0.5Sb1.5Te3 na N-aina ya Bi2Te2.7Se0.3
Utangulizi mfupi
Jina la bidhaa:P-aina ya Bi0.5Sb1.5Te3
N-aina ya Bi2Te2.7Se0.3
Usafi: 99.99%, 99.999%
Kuonekanance: Zuia ingot au unga
Chapa: Epoch-Chem
Ugavi ternary thermoelectric bismuth tellurideP-aina ya Bi0.5Sb1.5Te3naN-aina ya Bi2Te2.7Se0.3
Utendaji
Ingot ya thermoelectric ya TIG-BiTe-P/N-2 imekuzwa kwa aloi ya Bi, Sb, Te, Se, doping maalum na michakato yetu ya kipekee ya kung'arisha.Ingot ya thermoelectric inayotokana na Bi2Te3 imekuzwa mahususi na kuboreshwa kwa ajili ya kutengeneza moduli za thermoelectric zilizotumika kubadilisha chanzo cha joto kutoka 100℃(373K) hadi 350℃(623K) kuwa umeme .Kwa ujumla, wastani wa takwimu za ubora wa ZT wa ingoti zetu za aina ya p na n-aina ya viwango vya joto 300K hadi 600K ni kubwa kuliko 0.7.Moduli iliyotengenezwa kwa ingoti kama hizo inaweza kufikia ufanisi wa 5% na 250℃ Delta T. Wakati huo huo, ingot yetu inaonyeshwa kwa nguvu nzuri ya mitambo na mali imara sana, ikitoa jiwe muhimu kwa ajili ya kuzalisha utendaji wa juu na moduli za kuaminika za kuzalisha nguvu.
| Kipengee | bismuth telluride, bi2te3 |
| Aina ya N | |
| P aina | Bi0.5Te3.0Sb1.5 |
| Vipimo | Zuia ingot au poda |
| ZT | 1.15 |
| Ufungashaji | ufungaji wa mfuko wa vacumm |
| Maombi | friji, baridi, thermo, uchunguzi wa sayansi |
| Chapa | Enzi |
Maombi
Kuunda makutano ya P/N, yanayotumika katika friji ya semiconductor, uzalishaji wa poda ya umeme n.k.
Vipimo
| Specification | Aina ya P | Aina ya N | Imebainishwa |
| Chapa nambari | Bite- P-2 | Bite- N-2 | |
| Kipenyo (mm) | 31±2 | 31±2 | |
| Urefu (mm) | 250±30 | 250±30 | |
| Uzito (g/cm3) | 6.8 | 7.8 | |
| Conductivity ya umeme | 2000-6000 | 2000-6000 | 300K |
| Mgawo wa Seebeck α(μ UK-1) | ≥140 | ≥140 | 300K |
| Uendeshaji wa joto k(Wm-1 K) | 2.0-2.5 | 2.0-2.5 | 300K |
| Kipengele cha Poda P(WmK-2) | ≥0.005 | ≥0.005 | 300K |
| thamani ya ZT | ≥0.7 | ≥0.7 | 300K |
| Chapa | Epoch-Chem | ||
