Կիսահաղորդչային տեխնոլոգիայի արագ զարգացումով Bandgap- ի լայնածավալ կիսահաղորդիչ նյութերն աստիճանաբար դարձել են ապագա տեխնոլոգիայի բանալին, իսկ Gallium օքսիդը (Ga₂o₃) լավագույններից մեկն է: Իր գերազանց հատկություններով Gallium օքսիդը փոխում է էլեկտրաէներգիայի լանդշաֆտը եւ ֆոտոէլեկտրական հայտնաբերումը:
ՍահմանումGallium օքսիդ
Gallium Oxide (Ga₂o₃) անօրգանական միացություն է `քիմիական բանաձեւովGa₂o₃եւ Gallium- ի օքսիդ է: Այն ունի լայնաշնորհ, բարձր տրոհման էլեկտրական դաշտ եւ հիանալի քիմիական կայունություն եւ հանդիսանում է Bandgap- ի լայն լայնածավալ նյութեր:
Նկարագրություն. · CAS համարը:12024-21-4· Մոլեկուլային քաշը, 187.44 գ / MOL հալման կետ, 1900 ° C (մոտավորապես) · Արտաքին տեսք. Սովորաբար սպիտակ կամ թեթեւ դեղին փոշի կամ բյուրեղյա · Խտություն, 6.44 գ / սմբուկ:
Բնութագրերը եւ ծրագրերըGallium օքսիդ
Gallium Oxide- ը Bandgap- ի լայնածավալ կիսահաղորդչային լայնություն է, մինչեւ 4,8 EV լայնություն, որը գերազանցում է ավանդական սիլիկոնը (1.1 EV): Այս բնութագիրը Gallium օքսիդի նշանակալի առավելություններ է տալիս հետեւյալ ոլորտներում.
Էլեկտրաէներգիա. Գալիումի օքսիդը ունի բարձր տրոհման էլեկտրական դաշտ, որը կարող է արտադրել ավելի արդյունավետ եւ փոքր էլեկտրական սարքեր, ինչպիսիք են բարձրավոլտ անջատիչներն ու բարձր էներգիայի փոխարկիչները:
Ուլտրամանուշակագույն դետեկտորներ. Ուլտրամանուշակագույն լույսի նկատմամբ բարձր զգայունության պատճառով Gallium օքսիդը լայնորեն օգտագործվում է ուլտրամանուշակագույն լույսի զգայարանների եւ անվտանգության հայտնաբերման մեջ: Թափանցիկ էլեկտրոնային սարքեր. Gallium օքսիդը գերազանց թափանցիկություն ունի եւ կարող է օգտագործվել թափանցիկ ցուցադրիչներում եւ հաղորդիչում
Փոստի ժամանակ, FEB-12-2025