ქარხნული მიწოდება თხევადი ლითონი გალიუმის ინდიუმის შენადნობი GaIn metal Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
მოკლე შესავალი
1. პროდუქტის დასახელება: ქარხნის მიწოდებათხევადი ლითონი გალიუმის ინდიუმიშენადნობიმეტალში მოპოვება Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
2. ფორმულა:მოგებაშენადნობი
3. სისუფთავე: 99,99%, 99,999%
4. შინაარსი: Ga: In=75.5: 24.5 (78.5 : 21.4 ან მორგებული)
5. გარეგნობა: ვერცხლისფერი თეთრი თხევადი ლითონი
Შესრულება
შესანიშნავი თერმული და ელექტრული გამტარობა, სტაბილური თვისებები, უსაფრთხო და არატოქსიკური
ვარგისია პლასტმასის ბოთლისთვის და უნდა დარჩეს გარკვეული ადგილი, არ შეიძლება მინის კონტეინერებით შეფუთვა.
გალიუმ-ინდიუმის შენადნობი არის ლითონის შენადნობი, რომელიც შედგება ინდიუმის და გალიუმისგან.ამ შენადნობის ყველაზე გავრცელებული შემადგენლობაა 75% გალიუმი და 25% ინდიუმი.მოგება75/25).ელემენტების თანაფარდობიდან გამომდინარე, შენადნობის ფიზიკური და ქიმიური თვისებები განსხვავდება.ეს შენადნობი ცნობილია თავისი დაბალი დნობის წერტილით ოთახის ტემპერატურაზე დაბლა, რაც მას სასარგებლო მასალად აქცევს კრიოგენული გამოყენებისთვის.ის ასევე არის ევტექტიკური შენადნობი, რაც იმას ნიშნავს, რომ მას აქვს მკვეთრი გადასვლის ტემპერატურა თხევადიდან მყარზე, რაც პოტენციურად გამოსადეგია როგორც თერმოსტატი ან გამათბობელი.გალიუმ-ინდიუმის შენადნობები ძალიან გამტარია, რაც მათ გამოსადეგს ხდის ელექტრონულ და ელექტრო პროგრამებში, ასევე შედუღებასა და შედუღებას.დაბალი დნობის წერტილისა და კარგი თბოგამტარობის გამო, ის ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც თხევადი ლითონის გამაგრილებელი.საერთო ჯამში, გალიუმის ინდიუმის შენადნობებს აქვთ თვისებების უნიკალური კომბინაცია, რაც მათ შესაფერისს ხდის სხვადასხვა აპლიკაციებისთვის, განსაკუთრებით დაბალი ტემპერატურის, ელექტრო და თერმული მართვის სისტემებში.
განაცხადი
1. გალიუმის არსენიდის (GaAs), გალიუმის ფოშპიდის (GaP) და გალიუმის ნიტრიდის (GaN) მომზადება უსადენოდ
კომუნიკაცია, LED განათება
2. GaAs კონცენტრირებული მზის უჯრედი და CIGS თხელი ფირის მზის ელემენტი
3. მაგნიტური ნივთიერება და Nd-Fe-B მოწინავე მაგნიტური მასალები
4. დაბალი დნობის წერტილის შენადნობი, Ga2O3 და ნახევარგამტარული ჩიპის მომზადება
კომუნიკაცია, LED განათება
2. GaAs კონცენტრირებული მზის უჯრედი და CIGS თხელი ფირის მზის ელემენტი
3. მაგნიტური ნივთიერება და Nd-Fe-B მოწინავე მაგნიტური მასალები
4. დაბალი დნობის წერტილის შენადნობი, Ga2O3 და ნახევარგამტარული ჩიპის მომზადება
სპეციფიკაცია
| პროდუქტი | GaIn მეტალი (Ga: In=75.5: 24.5) | ||
| პარტია No. | 22112503 | რაოდენობა | 10 კგ |
| დამზადების თარიღი: | 2022 წლის 25 ნოემბერი | ტესტის თარიღი: | 2022 წლის 25 ნოემბერი |
| Ტესტირების მეთოდი | ელემენტი | კონცენტრაცია (ppm wt) | |
| სიწმინდე | ≥99.99% | ＞99.99% | |
| ICP ანალიზი (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| ბრენდი | ეპოქა-ქიმი | ||
