Գործարանային մատակարարում Հեղուկ մետաղ Gallium Indium Alloy GaIn մետաղ Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
Համառոտ ներածություն
1. Ապրանքի անվանումը՝ գործարանի մատակարարումՀեղուկ մետաղ Gallium IndiumհամաձուլվածքՄետաղական շահույթ Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
2. Բանաձև.GaInխառնուրդ
3. Մաքրություն՝ 99,99%, 99,999%
4. Բովանդակություն՝ Ga. In=75.5: 24.5 (78.5: 21.4 կամ հարմարեցված)
5. Արտաքին տեսք՝ Արծաթագույն Սպիտակ հեղուկ մետաղ
Կատարում
Գերազանց ջերմային և էլեկտրական հաղորդունակություն, կայուն հատկություններ, անվտանգ և ոչ թունավոր
Հարմար է պլաստիկ շշի համար և պետք է որոշ տեղ թողնի, չի կարելի փաթեթավորել ապակե տարաներով:
Գալիում-ինդիումի համաձուլվածքը մետաղական համաձուլվածք է, որը կազմված է ինդիումից և գալիումից։Այս համաձուլվածքի ամենատարածված բաղադրությունը 75% գալիում է և 25% ինդիում (GaIn75/25):Կախված տարրերի հարաբերակցությունից, խառնուրդի ֆիզիկական և քիմիական հատկությունները տարբեր կլինեն:Այս համաձուլվածքը հայտնի է իր ցածր հալման կետով, որը ցածր է սենյակային ջերմաստիճանից, ինչը այն դարձնում է օգտակար նյութ կրիոգեն կիրառման համար:Այն նաև էվեկտիկական համաձուլվածք է, ինչը նշանակում է, որ այն ունի հեղուկից պինդ անցումային կտրուկ ջերմաստիճան, ինչը պոտենցիալ օգտակար է դարձնում որպես թերմոստատ կամ ջերմատախտակ:Գալիում-ինդիումի համաձուլվածքները շատ հաղորդունակ են, ինչը դրանք դարձնում է օգտակար էլեկտրոնային և էլեկտրական կիրառություններում, ինչպես նաև եռակցման և զոդման համար:Իր ցածր հալման կետի և լավ ջերմային հաղորդունակության շնորհիվ այն կարող է օգտագործվել նաև որպես հեղուկ մետաղի հովացուցիչ նյութ:Ընդհանուր առմամբ, գալիումի ինդիումի համաձուլվածքները ունեն հատկությունների եզակի համադրություն, որը դրանք հարմար է դարձնում տարբեր կիրառությունների համար, հատկապես ցածր ջերմաստիճանի, էլեկտրական և ջերմային կառավարման համակարգերում:
Դիմում
1. Գալիումի արսենիդի (GaAs), գալիումի ֆոշպիդի (GaP) և գալիումի նիտրիդի (GaN) պատրաստում անլար կապի համար
կապ, LED լուսավորություն
2. GaAs կենտրոնացված արևային մարտկոց և CIGS բարակ թաղանթով արևային մարտկոց
3. Մագնիսական նյութ և Nd-Fe-B առաջադեմ մագնիսական նյութեր
4. Ցածր հալման կետի խառնուրդ, Ga2O3-ի և կիսահաղորդչային չիպի պատրաստում
կապ, LED լուսավորություն
2. GaAs կենտրոնացված արևային մարտկոց և CIGS բարակ թաղանթով արևային մարտկոց
3. Մագնիսական նյութ և Nd-Fe-B առաջադեմ մագնիսական նյութեր
4. Ցածր հալման կետի խառնուրդ, Ga2O3-ի և կիսահաղորդչային չիպի պատրաստում
Հստակեցում
| Ապրանք | GaIn մետաղ (Ga: In=75.5: 24.5) | ||
| Խմբաքանակի համարը | 22112503 | Քանակ | 10 կգ |
| Արտադրման ամսաթիվը: | 25 նոյեմբերի, 2022 թ | Փորձարկման ամսաթիվը: | 25 նոյեմբերի, 2022 թ |
| Փորձարկման մեթոդ | Տարր | Համակենտրոնացում (ppm wt) | |
| Մաքրություն | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| ICP վերլուծություն (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| Ապրանքանիշը | դարաշրջան-Քիմ | ||
