Fabriksförsörjning Flytande metall Gallium Indium Legering GaIn metall Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
Kort introduktion
1. Produktnamn: FabriksförsörjningFlytande metall Gallium IndiumLegeringGaIn metall Ga75.5In24.5 / Ga78.6In21.4
2. Formel:Fålegering
3. Renhet: 99,99 %, 99,999 %
4. Innehåll: Ga: In=75,5: 24,5 (78,5: 21,4 eller anpassat)
5. Utseende: Silver Vit flytande metall
Prestanda
Utmärkt termisk och elektrisk ledningsförmåga, stabila egenskaper, säker och giftfri
Lämplig för plastflaska och måste lämnas lite utrymme, kan inte packas med glasbehållare.
Gallium-indium-legering är en metallegering som består av indium och gallium.Den vanligaste sammansättningen av denna legering är 75% gallium och 25% indium (Få75/25).Beroende på förhållandet mellan grundämnen kommer legeringens fysikaliska och kemiska egenskaper att variera.Denna legering är känd för sin låga smältpunkt under rumstemperatur, vilket gör den till ett användbart material för kryogena tillämpningar.Det är också en eutektisk legering, vilket innebär att den har en skarp vätske-till-fast övergångstemperatur, vilket gör den potentiellt användbar som termostat eller kylfläns.Gallium-indium-legeringar är mycket ledande, vilket gör dem användbara i elektroniska och elektriska tillämpningar samt svetsning och lödning.På grund av sin låga smältpunkt och goda värmeledningsförmåga kan den även användas som ett flytande metallkylmedel.Sammantaget har galliumindiumlegeringar en unik kombination av egenskaper som gör dem lämpliga för en mängd olika applikationer, särskilt i lågtemperatur-, elektriska och termiska ledningssystem.
Ansökan
1. Beredning av galliumarsenid(GaAs), galliumfoshpide(GaP) och galliumnitrid(GaN) för trådlös
kommunikation, LED-belysning
2. GaAs-koncentrerad solcell och CIGS tunnfilmssolcell
3. Magnetisk substans och Nd-Fe-B avancerade magnetiska material
4. Legering med låg smältpunkt, beredning av Ga2O3 och halvledarchip
kommunikation, LED-belysning
2. GaAs-koncentrerad solcell och CIGS tunnfilmssolcell
3. Magnetisk substans och Nd-Fe-B avancerade magnetiska material
4. Legering med låg smältpunkt, beredning av Ga2O3 och halvledarchip
Specifikation
| Produkt | GaIn metall ( Ga: In=75,5: 24,5 ) | ||
| Batch nr. | 22112503 | Kvantitet | 10 kg |
| Tillverkningsdatum: | 25 november 2022 | Testdatum: | 25 november 2022 |
| Testmetod | Element | Koncentration (ppm vikt) | |
| Renhet | ≥99,99 % | ＞99,99 % | |
| ICP-analys (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| varumärke | Epoch-Chem | ||
