Өндөр хүчин чадалтай нано SiO Цахиурын дутуу ислийн нунтаг

Өндөр гүйцэтгэлтэй нано SiO Цахиурын дутуу ислийн нунтаг Онцлох зураг

Товч тодорхойлолт:

SiO Цахиурын дутуу исэл
Буцлах цэг: 1880 ° C
Хайлах цэг: 1720°C
Мэдрэмж: чийгшилд мэдрэмтгий
Хадгалах нөхцөл: Чийглэг, өндөр температуртай газар хадгалахыг хатуу хориглоно.Нягт (glcm3): 2.13
CAS дугаар: 10097-28-6
Хэрэглээ: Нарийн керамик синтетик түүхий эд, оптик шил, хагас дамжуулагч материалыг бэлтгэхэд ашигладаг.Энэ нь вакуум орчинд ууршуулж, хамгаалалтын хальс болон хагас дамжуулагч материал бэлтгэх оптик багажны металл толин тусгал гадаргуу дээр бүрсэн байна.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Бүтээгдэхүүний тодорхойлолт

-ийн онцлогнано SiO Цахиурын дутуу ислийн нунтаг

1. Бөөмийн хэмжээг хянах: 100нм-10мкм хянах боломжтой, төрөлжүүлэх хэрэгцээг хангах
2. Өндөр цэвэршилт: Цахиурын тоосонцор дахь цахиуртай Si-P холбоо нь 99,9% мс-ээс дээш бөгөөд жигд тархсан.

-ийн өргөдөлнано SiO Цахиурын дутуу исэлнунтаг

1. Лити-ион хоёрдогч батерейны анод материалын урьдал материалд зориулсан цахиурын суурьтай анод материал бэлтгэх
2. Цахиурын нитрид, цахиурын карбидын нарийн керамик нунтаг түүхий эд зэрэг нарийн керамик синтетик түүхий эд болгон.

Сертификат: