Fabréck liwweren flësseg Metal Gallium Indium-Algool Gewënn Metal Ga75.5in24.5 / Ga781.6
Kuerz Aféierung
1. Produktnumm: Fabréck Versuergung flësseg MetalGallium IndiumLegowon Gewannen Metall Ga75.5in24.5 / Ga78.6in21.4
2. Formel:GewënnLegowon
3. Rengheet: 99.99%, 99.999%
4. Inhalt: GA: In = 75.5: 24,5 (78,5: 21.4 oder personaliséiert)
5. Erscheinung: Sëlwer wäiss Flësseget Metal
Performech
Exzellent thermesch an elektresch Käschten, stabil Eegeschaften, sécher an net gëfteg
Geschësst fir eng Plastiksfläsch a muss e puer Plaz hannerlooss ginn, kann net mat Glasbehälter gepackt ginn.
Gellium-indium Legierungass e Metallalloy besteet aus Indium an Gallium. Déi meescht gemeinsam Zesummesetzung vun dësem Legierung ass 75% Gallium a 25% Inium (gewannt 75/25). Ofhängeg vum Verhältnis vun Elementer, déi kierperlech a chemesch Eegeschafte vun der Legierung variéieren. Dësen Alphelywarder bestoung fir e ganz niddelelte Stéckelen, wann den Zëmmeremperatur hei drënner fir Nëtzlecht Material fir krygen Infliner Uschlichatiounen ënnergeet. Et ass och eng eutktesch Alyloy, dat heescht et huet eng schaarf Flëssegkeet-to-zolidd Iwwergangsentemperatur, mécht et potenziell nëtzlech wéi en Thermostat oder Hëtzt.Gellium-Indium Lightssi ganz lueden, se nëtzlech an elektronesch Uwendungen maachen, souwéi d'Schwësteren a Brapping ze maachen. Duerch säi niddrege Schmelzenpunkt a gutt déifem Wäerter, et kann och als Flëssegkeet benotzt ginn. LESCHT, Geldfer-Altium Altor Endeor huet eng eenzegaarteg Koordinatioun vun Zefriddenheet, déi all Basse vun der Appmaterial erstellen, kënnen e verschiddenen Temperaturen.
D'Applikatioun
1. Virbereedung vum Gallium ARSENID (GAAF), Gallium pholhps (Spalt) anGellium Nitride(Gan) fir Wireless
Kommunikatioun, huet d'Luucht gefouert
2. GaAhen konzentréiert Solarzell an Zigen dënn-Film Sole
3. Magnéitesch Substanz an ND-FE-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Locary, Virbereedung vunGa2o3an semiconductor Chip
Kommunikatioun, huet d'Luucht gefouert
2. GaAhen konzentréiert Solarzell an Zigen dënn-Film Sole
3. Magnéitesch Substanz an ND-FE-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddereg Schmelzpunkt Locary, Virbereedung vunGa2o3an semiconductor Chip
Spezifizéierung
| Produktenzelel | Gewannen Metall(Ga: An = 75.5: 24.5) | ||
| Batch Nee. | 221122503 | Quantitéit | 10 kg |
| Datum vun der Fabrikatioun: | Nov. 25, 2022 | Datum vum Test: | Nov. 25, 2022 |
| Test Method | Elements | Konzentratioun (ppm wt) | |
| Rengheet | ≥99.99% | > 99.99% | |
| ICP Analyse (ppm) | Fe | 9 | |
| Cu | 10 | ||
| Pb | 12 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 10 | ||
| Al | 8 | ||
| Ca | 5 | ||
| Si | 6 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marbrung | Xinglu | ||
