Strauji attīstot pusvadītāju tehnoloģiju, plaša joslas pusvadītāju materiāli pakāpeniski ir kļuvuši par nākotnes tehnoloģiju atslēgu, un gallija oksīds (Ga₂o₃) ir viens no labākajiem. Ar lieliskajām īpašībām gallija oksīds maina enerģijas elektronikas un fotoelektriskās noteikšanas ainavu.
DefinīcijaGallija oksīds
Gallija oksīds (ga₂o₃) ir neorganisks savienojums ar ķīmisku formuluGa₂o₃un ir gallija oksīds. Tam ir plaša josla, augsta sadalījuma elektriskā lauka un lieliska ķīmiskā stabilitāte, un tas ir svarīgs plaša joslas pusvadītāju materiāls.
Funkcijas: · CAS numurs:12024-21-4· Molekulmasa: 187,44 g/mol kušanas temperatūra: 1900 ° C (aptuveni) · Izskats: parasti balts vai gaiši dzeltens pulveris vai kristāls · Blīvums: 6,44 g/cm³ · Šķīdība: nešķīst ūdenī, bet šķīst spēcīgā skābē.
Raksturojums un pielietojumsGallija oksīds
Gallium oksīds ir plašs joslu pusvadītāju materiāls ar joslas platumu līdz 4,8 eV, kas ievērojami pārsniedz tradicionālo silīciju (1,1 eV) un silīcija karbīdu (3,3 eV). Šis raksturlielums dod gallija oksīda ievērojamas priekšrocības šādās jomās:
Elektronika: Gallium oksīdam ir augsts sadalīšanās elektriskais lauks, kas var radīt efektīvākas un mazākas enerģijas ierīces, piemēram, augstsprieguma slēdži un lieljaudas pārveidotāji.
Ultravioletie detektori: Sakarā ar augsto jutīgumu pret ultravioleto gaismu gallija oksīdu plaši izmanto ultravioletā gaismas sensācijā un drošības noteikšanā. Caurspīdīgas elektroniskās ierīces: Gallium oksīdam ir lieliska caurspīdīgums, un to var izmantot caurspīdīgos displejos un vadībā
Pasta laiks: Feb-12-2025