Fornitu fabbrica di metallo analmabile Tin Alay Galinstan Gainsn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve Introduzione
1. Nome di u produttu: Alta Purità 99.99Gallum Indium tin u metallu liquidu GALINSTANO GAINN Ga68.5 In21.5sn10
2. FORMULA:GAINN
3. Purità: 99,99%, 99,999%
4. Contenutu: GA: in: sn = 68,5: 21,5: 10 o persunalizata
5. Aparenza: Metal di u Numinu di Silver White
Performance
EXCELLENT CONDUTTIVITÀ TERMALE e elettrica, proprietà stabile, salvu è micca tossicu
Adatta per a buttiglia pl plastica è deve esse lasciatu qualchì spaziu, ùn pò micca esse imballatu cù un containeri di vetru.
Gallum indium tin, ancu cunnisciutu cum'è gito, hè una tinica tinta custituita da Gallium (GA), Indium (in) è tin (sn). Hè un materiale unicu cù e proprietà ottiche tuniche è elettriche, facendu ideale per una varietà di applicazioni. Alcune pussibuli applicazioni di Gito includenu:
1. Cacciatore conduttivu trasparente: Gito hè investigà cum'è un oxidu potenziale per l'ossidu di linia indium Hà una alta trasparenza è resessibilità bassa, facendu ideale per l'usu in i pannelli flat, e cellule solare, è altri dispusitivi optocettronici.
2. I dispositi di Thermoelectricu: Gito hà una bona proprietà Termoelectrica è ponu esse aduprati per a ripresa di u calore di i rifiuti in diverse applicazioni cum'è l'industria automobile è l'automobile.
3. Electronics flexible: GITO pò esse dipositu nantu à i sustrati flessibili per fabricà l'elettronica di u flexible.
4. Sensori: GITO pò esse usatu cum'è materiale sensitivu per diversi sensori cum'è sensori di gas è di biosensori. In generale, Gito hè un materiale promettente cù appiica putenziale in diversi induri di e so proprietà uniche. A ricerca à Gito hè in continuu è hè prevista per ghjucà un rolu impurtante in u sviluppu di e tecnulugie novi.
Applicazione
1. Preparazione di arsenide di gallami (GaA), Gapium Phoshpide (Gap) èNitridu di gallini(Gan) per wireless
Cumunicazione, illuminazione LED
2. Gaas concentrate cellula è ciga di a cellula solare magre
3. Substanza magnetica è di i magnetichi di u nd-u
4. Low Mempling Punt Alloy, Preparazione di Chip G Ga2o3 è Semicondduttor
Cumunicazione, illuminazione LED
2. Gaas concentrate cellula è ciga di a cellula solare magre
3. Substanza magnetica è di i magnetichi di u nd-u
4. Low Mempling Punt Alloy, Preparazione di Chip G Ga2o3 è Semicondduttor
Specificazione
| Pruduttu | Metal di Gainsn(Ga: In: Sn = 68,5: 21,5: 10) | ||
| Numeru di batch | 22112502 | Quantità | 100 chilò |
| Data di fabricazione: | U 25 di u Nuvembre, 2022 | Data di prova: | U 25 di u Nuvembre, 2022 |
| Metudu di prova | Elementu | Cuncentrazione (ppm wt) | |
| PURITUZA | ≥99.99% | > 99,99% | |
| Analisi ICP (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Xinglu | ||
Produttu Relatu:
POWER DI GAILO3 GAILIA3,GA2S3 GALULUM POULD,Metallu liquiduGallum indion alloy Guadagnà metallu
Mandate l'indagazione per utteneGallum indium tinGALINSTANOPrezzu di gainsn
