โรงงานจัดหาโลหะเหลวแกลเลียมอินเดียมโลหะผสมดีบุก Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
แนะนำสั้น ๆ
1. ชื่อผลิตภัณฑ์: มีความบริสุทธิ์สูง 99.99แกลเลียมอินเดียมดีบุกโลหะเหลวกาลินสถาน GaInSn Ga68.5 อิน21.5Sn10
2. สูตร: GaInSn
3. ความบริสุทธิ์: 99.99%, 99.999%
4. เนื้อหา: Ga: ใน: Sn=68.5:21.5: 10 หรือกำหนดเอง
5. ลักษณะที่ปรากฏ: โลหะเหลวสีเงินสีขาว
ผลงาน
การนำความร้อนและไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม คุณสมบัติมั่นคง ปลอดภัย และปลอดสารพิษ
เหมาะสำหรับขวดพลาสติกและต้องเว้นพื้นที่ไว้ไม่สามารถบรรจุภาชนะแก้วได้
แกลเลียมอินเดียมดีบุกหรือที่รู้จักกันในชื่อ GITO เป็นโลหะผสมที่ประกอบไปด้วยแกลเลียม (Ga) อินเดียม (In) และดีบุก (Sn)เป็นวัสดุพิเศษที่มีคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าที่ปรับได้ ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลายแอปพลิเคชันที่เป็นไปได้ของ GITO ได้แก่:
1. การเคลือบสื่อกระแสไฟฟ้าที่โปร่งใส: GITO กำลังตรวจสอบว่ามีศักยภาพในการทดแทนอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในอิเล็กโทรดนำไฟฟ้าที่โปร่งใสมีความโปร่งใสสูงและความต้านทานต่ำ ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในจอแบน เซลล์แสงอาทิตย์ และอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ
2. อุปกรณ์เทอร์โมอิเล็กทริก: GITO มีคุณสมบัติเทอร์โมอิเล็กทริกที่ดีและสามารถนำมาใช้สำหรับการนำความร้อนเหลือทิ้งกลับมาใช้ใหม่ในการใช้งานต่างๆ เช่น อุตสาหกรรมยานยนต์และอวกาศ
3. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ยืดหยุ่น: GITO สามารถสะสมบนพื้นผิวที่ยืดหยุ่นเพื่อสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่สวมใส่ได้แบบยืดหยุ่น
4. เซ็นเซอร์: GITO สามารถใช้เป็นวัสดุที่ละเอียดอ่อนสำหรับเซ็นเซอร์ต่างๆ เช่น เซ็นเซอร์ก๊าซและไบโอเซนเซอร์โดยรวมแล้ว GITO เป็นวัสดุที่มีอนาคตพร้อมศักยภาพการใช้งานในอุตสาหกรรมต่างๆ เนื่องจากมีคุณสมบัติเฉพาะตัวการวิจัยที่ GITO กำลังดำเนินอยู่และคาดว่าจะมีบทบาทสำคัญในการพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ๆ
แอปพลิเคชัน
1. การเตรียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs), แกลเลียมฟอสไฟด์ (GaP) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) สำหรับระบบไร้สาย
การสื่อสาร, ไฟ LED
2. เซลล์แสงอาทิตย์แบบเข้มข้น GaAs และเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง CIGS
3. สารแม่เหล็กและวัสดุแม่เหล็กขั้นสูง Nd-Fe-B
4. โลหะผสมที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ การเตรียม Ga2O3 และชิปเซมิคอนดักเตอร์
การสื่อสาร, ไฟ LED
2. เซลล์แสงอาทิตย์แบบเข้มข้น GaAs และเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง CIGS
3. สารแม่เหล็กและวัสดุแม่เหล็กขั้นสูง Nd-Fe-B
4. โลหะผสมที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ การเตรียม Ga2O3 และชิปเซมิคอนดักเตอร์
ข้อมูลจำเพาะ
| ผลิตภัณฑ์ | โลหะ GaInSn ( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 ) | ||
| หมายเลขแบทช์ | 22112502 | ปริมาณ | 100กก |
| วันที่ผลิต: | 25 พ.ย. 2022 | วันที่ทดสอบ: | 25 พ.ย. 2022 |
| วิธีการทดสอบ | องค์ประกอบ | ความเข้มข้น (ppm wt) | |
| ความบริสุทธิ์ | ≥99.99% | >99.99% | |
| การวิเคราะห์ ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| ยี่ห้อ | ยุค-เคม | ||
