Գործարանային մատակարարում Հեղուկ մետաղ Gallium Indium Tin խառնուրդ Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Համառոտ ներածություն
1. Ապրանքի անվանումը՝ բարձր մաքրություն 99.99Gallium Indium TinՀեղուկ մետաղԳալինստան GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Բանաձև՝ GaInSn
3. Մաքրություն՝ 99,99%, 99,999%
4. Բովանդակություն՝ Ga: In: Sn=68.5:21.5:10 կամ հարմարեցված
5. Արտաքին տեսք՝ Արծաթագույն Սպիտակ հեղուկ մետաղ
Կատարում
Գերազանց ջերմային և էլեկտրական հաղորդունակություն, կայուն հատկություններ, անվտանգ և ոչ թունավոր
Հարմար է պլաստիկ շշի համար և պետք է որոշ տեղ թողնի, չի կարելի փաթեթավորել ապակե տարաներով:
Gallium Indium Tin, որը նաև հայտնի է որպես GITO, եռակի համաձուլվածք է, որը բաղկացած է գալիումից (Ga), ինդիումից (In) և անագից (Sn):Այն եզակի նյութ է՝ կարգավորելի օպտիկական և էլեկտրական հատկություններով, ինչը այն դարձնում է իդեալական տարբեր կիրառությունների համար:GITO-ի որոշ հնարավոր կիրառություններ ներառում են.
1. Թափանցիկ հաղորդիչ ծածկույթ. GITO-ն ուսումնասիրում է որպես ինդիումի անագի օքսիդի (ITO) պոտենցիալ փոխարինում, որը լայնորեն օգտագործվում է թափանցիկ հաղորդիչ էլեկտրոդներում:Այն ունի բարձր թափանցիկություն և ցածր դիմադրողականություն, ինչը այն դարձնում է իդեալական հարթ վահանակների էկրանների, արևային մարտկոցների և այլ օպտոէլեկտրոնային սարքերում օգտագործելու համար:
2. Ջերմաէլեկտրական սարքեր. GITO-ն ունի լավ ջերմաէլեկտրական հատկություններ և կարող է օգտագործվել թափոնների ջերմության վերականգնման համար տարբեր ծրագրերում, ինչպիսիք են ավտոմոբիլային և օդատիեզերական արդյունաբերությունը:
3. Ճկուն էլեկտրոնիկա. GITO-ն կարող է տեղադրվել ճկուն ենթաշերտերի վրա՝ կրելու ճկուն էլեկտրոնիկա արտադրելու համար:
4. Սենսորներ. GITO-ն կարող է օգտագործվել որպես զգայուն նյութ տարբեր սենսորների համար, ինչպիսիք են գազի սենսորները և բիոսենսորները:Ընդհանուր առմամբ, GITO-ն խոստումնալից նյութ է, որն իր եզակի հատկությունների շնորհիվ կարող է կիրառել տարբեր ոլորտներում:GITO-ում հետազոտությունները շարունակվում են և ակնկալվում է, որ այն կարևոր դեր կունենա նոր տեխնոլոգիաների զարգացման գործում:
Դիմում
1. Գալիումի արսենիդի (GaAs), գալիումի ֆոշպիդի (GaP) և գալիումի նիտրիդի (GaN) պատրաստում անլար կապի համար
կապ, LED լուսավորություն
2. GaAs կենտրոնացված արևային մարտկոց և CIGS բարակ թաղանթով արևային մարտկոց
3. Մագնիսական նյութ և Nd-Fe-B առաջադեմ մագնիսական նյութեր
4. Ցածր հալման կետի խառնուրդ, Ga2O3-ի և կիսահաղորդչային չիպի պատրաստում
կապ, LED լուսավորություն
2. GaAs կենտրոնացված արևային մարտկոց և CIGS բարակ թաղանթով արևային մարտկոց
3. Մագնիսական նյութ և Nd-Fe-B առաջադեմ մագնիսական նյութեր
4. Ցածր հալման կետի խառնուրդ, Ga2O3-ի և կիսահաղորդչային չիպի պատրաստում
Հստակեցում
| Ապրանք | GaInSn մետաղ ( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10) | ||
| Խմբաքանակի համարը | 22112502 | Քանակ | 100 կգ |
| Արտադրման ամսաթիվը: | 25 նոյեմբերի, 2022 թ | Փորձարկման ամսաթիվը: | 25 նոյեմբերի, 2022 թ |
| Փորձարկման մեթոդ | Տարր | Համակենտրոնացում (ppm wt) | |
| Մաքրություն | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| ICP վերլուծություն (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Ապրանքանիշը | դարաշրջան-Քիմ | ||
