ქარხნული მიწოდება თხევადი ლითონი გალიუმი ინდიუმი კალის შენადნობი Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
მოკლე შესავალი
1. პროდუქტის დასახელება: მაღალი სისუფთავე 99.99გალიუმის ინდიუმის კალათხევადი ლითონიგალინსტანი GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. ფორმულა: GaInSn
3. სისუფთავე: 99,99%, 99,999%
4. შინაარსი: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 ან მორგებული
5. გარეგნობა: ვერცხლისფერი თეთრი თხევადი ლითონი
Შესრულება
შესანიშნავი თერმული და ელექტრული გამტარობა, სტაბილური თვისებები, უსაფრთხო და არატოქსიკური
ვარგისია პლასტმასის ბოთლისთვის და უნდა დარჩეს გარკვეული ადგილი, არ შეიძლება მინის კონტეინერებით შეფუთვა.
Gallium Indium Tin, ასევე ცნობილი როგორც GITO, არის სამიანი შენადნობი, რომელიც შედგება გალიუმის (Ga), ინდიუმის (In) და კალის (Sn)გან.ეს არის უნიკალური მასალა რეგულირებადი ოპტიკური და ელექტრული თვისებებით, რაც მას იდეალურს ხდის სხვადასხვა აპლიკაციისთვის.GITO-ს ზოგიერთი შესაძლო აპლიკაცია მოიცავს:
1. გამჭვირვალე გამტარი საფარი: GITO იკვლევს, როგორც პოტენციურ ჩანაცვლებას ინდიუმის კალის ოქსიდის (ITO), რომელიც ფართოდ გამოიყენება გამჭვირვალე გამტარ ელექტროდებში.მას აქვს მაღალი გამჭვირვალობა და დაბალი წინააღმდეგობა, რაც მას იდეალურს ხდის ბრტყელ პანელის ეკრანებზე, მზის უჯრედებსა და სხვა ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებში გამოსაყენებლად.
2. თერმოელექტრული მოწყობილობები: GITO-ს აქვს კარგი თერმოელექტრული თვისებები და შეიძლება გამოყენებულ იქნას ნარჩენი სითბოს აღდგენისთვის სხვადასხვა პროგრამებში, როგორიცაა საავტომობილო და კოსმოსური მრეწველობა.
3. მოქნილი ელექტრონიკა: GITO შეიძლება განთავსდეს მოქნილ სუბსტრატებზე მოქნილი ტარებადი ელექტრონიკის დასამზადებლად.
4. სენსორები: GITO შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც მგრძნობიარე მასალა სხვადასხვა სენსორებისთვის, როგორიცაა გაზის სენსორები და ბიოსენსორები.მთლიანობაში, GITO არის პერსპექტიული მასალა, რომელსაც აქვს პოტენციური გამოყენება სხვადასხვა ინდუსტრიაში მისი უნიკალური თვისებების გამო.GITO-ში კვლევები გრძელდება და, სავარაუდოდ, მნიშვნელოვან როლს შეასრულებს ახალი ტექნოლოგიების განვითარებაში.
განაცხადი
1. გალიუმის არსენიდის (GaAs), გალიუმის ფოშპიდის (GaP) და გალიუმის ნიტრიდის (GaN) მომზადება უსადენოდ
კომუნიკაცია, LED განათება
2. GaAs კონცენტრირებული მზის უჯრედი და CIGS თხელი ფირის მზის ელემენტი
3. მაგნიტური ნივთიერება და Nd-Fe-B მოწინავე მაგნიტური მასალები
4. დაბალი დნობის წერტილის შენადნობი, Ga2O3 და ნახევარგამტარული ჩიპის მომზადება
კომუნიკაცია, LED განათება
2. GaAs კონცენტრირებული მზის უჯრედი და CIGS თხელი ფირის მზის ელემენტი
3. მაგნიტური ნივთიერება და Nd-Fe-B მოწინავე მაგნიტური მასალები
4. დაბალი დნობის წერტილის შენადნობი, Ga2O3 და ნახევარგამტარული ჩიპის მომზადება
სპეციფიკაცია
| პროდუქტი | GaInSn მეტალი (Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10) | ||
| პარტია No. | 22112502 | რაოდენობა | 100 კგ |
| დამზადების თარიღი: | 2022 წლის 25 ნოემბერი | ტესტის თარიღი: | 2022 წლის 25 ნოემბერი |
| Ტესტირების მეთოდი | ელემენტი | კონცენტრაცია (ppm wt) | |
| სიწმინდე | ≥99.99% | ＞99.99% | |
| ICP ანალიზი (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| ბრენდი | ეპოქა-ქიმი | ||
