Továrenská dodávka Tekutý kov Gálium Indium Zliatina cínu Galinstan GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
Stručný úvod
1. Názov produktu: Vysoká čistota 99,99Gálium Indium CínTekutý kovGalinstan GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Vzorec: GaInSn
3. Čistota: 99,99 %, 99,999 %
4. Obsah: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 alebo prispôsobené
5. Vzhľad: Strieborný biely tekutý kov
Výkon
Vynikajúca tepelná a elektrická vodivosť, stabilné vlastnosti, bezpečné a netoxické
Vhodné pre plastovú fľašu a musí byť ponechaný nejaký priestor, nemožno ho zabaliť do sklenených nádob.
Gálium Indium Cín, tiež známy ako GITO, je ternárna zliatina pozostávajúca z gália (Ga), india (In) a cínu (Sn).Je to jedinečný materiál s laditeľnými optickými a elektrickými vlastnosťami, vďaka čomu je ideálny pre rôzne aplikácie.Niektoré možné aplikácie GITO zahŕňajú:
1. Priehľadný vodivý povlak: GITO skúma ako potenciálnu náhradu za oxid indium cínu (ITO), ktorý je široko používaný v priehľadných vodivých elektródach.Má vysokú transparentnosť a nízky odpor, vďaka čomu je ideálny na použitie v plochých panelových displejoch, solárnych článkoch a iných optoelektronických zariadeniach.
2. Termoelektrické zariadenia: GITO má dobré termoelektrické vlastnosti a možno ho použiť na spätné získavanie odpadového tepla v rôznych aplikáciách, ako je automobilový a letecký priemysel.
3. Flexibilná elektronika: GITO môže byť nanesené na flexibilné substráty na výrobu flexibilnej nositeľnej elektroniky.
4. Senzory: GITO možno použiť ako citlivý materiál pre rôzne senzory, ako sú plynové senzory a biosenzory.Celkovo je GITO perspektívny materiál s potenciálnym využitím v rôznych priemyselných odvetviach vďaka svojim jedinečným vlastnostiam.Výskum v GITO pokračuje a očakáva sa, že bude hrať dôležitú úlohu pri vývoji nových technológií.
Aplikácia
1. Príprava arzenidu gália (GaAs), fosfátu gália (GaP) a nitridu gália (GaN) pre bezdrôtové
komunikácia, LED osvetlenie
2. Koncentrovaný solárny článok GaAs a tenkovrstvový solárny článok CIGS
3. Magnetická látka a pokročilé magnetické materiály Nd-Fe-B
4. Zliatina s nízkou teplotou topenia, príprava Ga2O3 a polovodičového čipu
komunikácia, LED osvetlenie
2. Koncentrovaný solárny článok GaAs a tenkovrstvový solárny článok CIGS
3. Magnetická látka a pokročilé magnetické materiály Nd-Fe-B
4. Zliatina s nízkou teplotou topenia, príprava Ga2O3 a polovodičového čipu
Špecifikácia
| Produkt | Kov GaInSn ( Ga: In: Sn=68,5:21,5:10 ) | ||
| šarža č. | 22112502 | Množstvo | 100 kg |
| Dátum výroby: | 25. novembra 2022 | Dátum testu: | 25. novembra 2022 |
| Testovacia metóda | Element | Koncentrácia (ppm hmot.) | |
| Čistota | ≥99,99 % | ＞99,99 % | |
| Analýza ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Značka | Epoch-Chem | ||
