Subministro de fábrica Metal líquido Galio Indio Aleación de estaño Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introdución
1. Nome do produto: alta pureza 99,99Galio Indio EstañoMetal líquidoGalinstan GainSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Fórmula: GaInSn
3. Pureza: 99,99 %, 99,999 %
4. Contido: Ga: En: Sn=68,5:21,5:10 ou personalizado
5. Aspecto: metal líquido prata branco
Rendemento
Excelente condutividade térmica e eléctrica, propiedades estables, seguro e non tóxico
Adecuado para botellas de plástico e hai que deixar algo de espazo, non se pode embalar con envases de vidro.
Galio Indio Estaño, tamén coñecido como GITO, é unha aliaxe ternaria formada por Galio (Ga), Indio (In) e Estaño (Sn).É un material único con propiedades ópticas e eléctricas sintonizables, polo que é ideal para unha variedade de aplicacións.Algunhas posibles aplicacións de GITO inclúen:
1. Revestimento condutor transparente: GITO está investigando como un substituto potencial para o óxido de indio e estaño (ITO), que se usa amplamente en electrodos condutores transparentes.Ten alta transparencia e baixa resistividade, polo que é ideal para usar en pantallas planas, células solares e outros dispositivos optoelectrónicos.
2. Dispositivos termoeléctricos: GITO ten boas propiedades termoeléctricas e pódese usar para a recuperación de calor residual en varias aplicacións como a automoción e a industria aeroespacial.
3. Electrónica flexible: GITO pódese depositar en substratos flexibles para fabricar produtos electrónicos flexibles para vestir.
4. Sensores: GITO pódese usar como material sensible para varios sensores, como sensores de gas e biosensores.En xeral, o GITO é un material prometedor con aplicacións potenciais en varias industrias debido ás súas propiedades únicas.A investigación en GITO está en curso e espérase que desempeñe un papel importante no desenvolvemento de novas tecnoloxías.
Aplicación
1. Preparación de arseniuro de galio (GaAs), fósforo de galio (GaP) e nitruro de galio (GaN) para sen fíos
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e Célula solar de película fina CIGS
3. Substancia magnética e materiais magnéticos avanzados Nd-Fe-B
4. Aliaxe de baixo punto de fusión, preparación de Ga2O3 e chip semicondutor
comunicación, iluminación LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e Célula solar de película fina CIGS
3. Substancia magnética e materiais magnéticos avanzados Nd-Fe-B
4. Aliaxe de baixo punto de fusión, preparación de Ga2O3 e chip semicondutor
Especificación
Produto | GaInSn metal (Ga: In: Sn=68,5:21,5:10) | ||
Número de lote | 22112502 | Cantidade | 100 kg |
Data de fabricación: | 25 de novembro de 2022 | Data da proba: | 25 de novembro de 2022 |
Método de proba | Elemento | Concentración (ppm wt) | |
Pureza | ≥99,99 % | >99,99 % | |
Análise ICP (ppm) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
Marca | Época-Chem |