Aprovizionare din fabrică Metal lichid Galiu Indiu Aliaj de staniu Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Scurta introducere
1. Nume produs: Puritate ridicată 99,99Galiu Indiu StaniuMetal lichidGalinstan GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Formula: GaInSn
3. Puritate: 99,99%, 99,999%
4. Conținut: Ga: În: Sn=68,5:21,5:10 sau personalizat
5. Aspect: Metal lichid alb argintiu
Performanţă
Conductivitate termică și electrică excelentă, proprietăți stabile, sigure și non-toxice
Potrivit pentru sticla de plastic și trebuie lăsat puțin spațiu, nu poate fi ambalat cu recipiente de sticlă.
Galiu Indiu Stan, cunoscut și sub numele de GITO, este un aliaj ternar format din Galiu (Ga), Indiu (In) și Staniu (Sn).Este un material unic cu proprietăți optice și electrice reglabile, ceea ce îl face ideal pentru o varietate de aplicații.Unele posibile aplicații ale GITO includ:
1. Acoperire conductivă transparentă: GITO investighează ca un potențial înlocuitor pentru oxidul de indiu staniu (ITO), care este utilizat pe scară largă în electrozii conductivi transparenți.Are o transparență ridicată și o rezistivitate scăzută, ceea ce îl face ideal pentru utilizarea în afișaje cu ecran plat, celule solare și alte dispozitive optoelectronice.
2. Dispozitive termoelectrice: GITO are proprietăți termoelectrice bune și poate fi utilizat pentru recuperarea căldurii reziduale în diverse aplicații, cum ar fi industria auto și aerospațială.
3. Electronice flexibile: GITO poate fi depus pe substraturi flexibile pentru a fabrica electronice flexibile portabile.
4. Senzori: GITO poate fi folosit ca material sensibil pentru diverși senzori, cum ar fi senzori de gaz și biosenzori.În general, GITO este un material promițător cu potențiale aplicații în diverse industrii datorită proprietăților sale unice.Cercetările la GITO sunt în desfășurare și se așteaptă să joace un rol important în dezvoltarea de noi tehnologii.
Aplicație
1. Prepararea arseniurii de galiu (GaAs), fospidei de galiu (GaP) și nitrurii de galiu (GaN) pentru wireless
comunicare, iluminare LED
2. Celulă solară concentrată GaAs și celulă solară cu peliculă subțire CIGS
3. Substanță magnetică și materiale magnetice avansate Nd-Fe-B
4. Aliaj cu punct de topire scăzut, pregătirea Ga2O3 și cip semiconductor
comunicare, iluminare LED
2. Celulă solară concentrată GaAs și celulă solară cu peliculă subțire CIGS
3. Substanță magnetică și materiale magnetice avansate Nd-Fe-B
4. Aliaj cu punct de topire scăzut, pregătirea Ga2O3 și cip semiconductor
Specificație
| Produs | GaInSn metal (Ga: In: Sn=68,5:21,5:10) | ||
| Lot nr. | 22112502 | Cantitate | 100 kg |
| Data fabricatiei: | 25 noiembrie 2022 | Data testului: | 25 noiembrie 2022 |
| Metoda de test | Element | Concentrație (ppm greutate) | |
| Puritate | ≥99,99% | >99,99% | |
| Analiza ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marca | Epocă-Chem | ||
