Gyári ellátás Folyékony fém gallium-indium ónötvözet Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Rövid bemutatkozás
1. Termék neve: Nagy tisztaságú 99,99Gallium-indium ónFolyékony fémGalinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Képlet: GaInSn
3. Tisztaság: 99,99%, 99,999%
4. Tartalom: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 vagy személyre szabott
5. Megjelenés: Ezüst fehér folyékony fém
Teljesítmény
Kiváló hő- és elektromos vezetőképesség, stabil tulajdonságok, biztonságos és nem mérgező
Alkalmas műanyag palackba, és hagyni kell egy kis helyet, nem lehet üvegedénybe csomagolni.
A gallium-indium-ón, más néven GITO, egy háromkomponensű ötvözet, amely galliumból (Ga), indiumból (In) és ónból (Sn) áll.Ez egy egyedülálló anyag hangolható optikai és elektromos tulajdonságokkal, így ideális különféle alkalmazásokhoz.A GITO néhány lehetséges alkalmazása:
1. Átlátszó vezető bevonat: A GITO az átlátszó vezetőképes elektródákban széles körben használt indium-ón-oxid (ITO) lehetséges helyettesítését vizsgálja.Nagy átlátszósággal és alacsony ellenállással rendelkezik, így ideális síkképernyős kijelzőkhöz, napelemekhez és egyéb optoelektronikai eszközökhöz.
2. Termoelektromos eszközök: A GITO jó termoelektromos tulajdonságokkal rendelkezik, és felhasználható hulladékhő visszanyerésére különféle alkalmazásokban, például az autóiparban és a repülőgépiparban.
3. Rugalmas elektronika: A GITO-t rugalmas alapfelületekre lehet felhordani rugalmas, hordható elektronika előállításához.
4. Érzékelők: A GITO érzékeny anyagként használható különféle érzékelőkhöz, például gázérzékelőkhöz és bioszenzorokhoz.Összességében a GITO ígéretes anyag, amely egyedi tulajdonságainak köszönhetően számos iparágban alkalmazható.A GITO kutatása folyamatban van, és várhatóan fontos szerepet fog játszani az új technológiák fejlesztésében.
Alkalmazás
1. Gallium-arzenid (GaAs), gallium-foszpide (GaP) és gallium-nitrid (GaN) előkészítése vezeték nélküli használatra
kommunikáció, LED világítás
2. GaAs koncentrált napelem és CIGS vékonyrétegű napelem
3. Mágneses anyag és Nd-Fe-B fejlett mágneses anyagok
4. Alacsony olvadáspontú ötvözet, Ga2O3 és félvezető chip előállítása
kommunikáció, LED világítás
2. GaAs koncentrált napelem és CIGS vékonyrétegű napelem
3. Mágneses anyag és Nd-Fe-B fejlett mágneses anyagok
4. Alacsony olvadáspontú ötvözet, Ga2O3 és félvezető chip előállítása
Leírás
| Termék | GaInSn fém ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| Tételszám | 22112502 | Mennyiség | 100 kg |
| Gyártási dátum: | 2022. november 25 | A vizsgálat dátuma: | 2022. november 25 |
| Teszt módszer | Elem | Koncentráció (ppm tömeg) | |
| Tisztaság | ≥99,99% | ＞99,99% | |
| ICP-elemzés (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Márka | Epoch-Chem | ||
