Fornecimento de fábrica liga de metal líquido gálio índio estanho Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Breve introdução
1. Nome do produto: Alta pureza 99,99Gálio índio estanhoMetal líquidoGalistão GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. Fórmula: GaInSn
3. Pureza: 99,99%, 99,999%
4. Conteúdo: Ga: In: Sn = 68,5: 21,5: 10 ou personalizado
5. Aparência: metal líquido branco prateado
Desempenho
Excelente condutividade térmica e elétrica, propriedades estáveis, seguras e não tóxicas
Adequado para garrafa de plástico e deve deixar algum espaço, não pode ser embalado com recipientes de vidro.
Gálio Índio Estanho, também conhecido como GITO, é uma liga ternária composta por Gálio (Ga), Índio (In) e Estanho (Sn).É um material único com propriedades ópticas e elétricas ajustáveis, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações.Algumas possíveis aplicações do GITO incluem:
1. Revestimento condutor transparente: GITO está investigando como um substituto potencial para o óxido de índio e estanho (ITO), que é amplamente utilizado em eletrodos condutores transparentes.Possui alta transparência e baixa resistividade, tornando-o ideal para uso em telas planas, células solares e outros dispositivos optoeletrônicos.
2. Dispositivos termoelétricos: GITO possui boas propriedades termoelétricas e pode ser usado para recuperação de calor residual em diversas aplicações, como indústrias automotivas e aeroespaciais.
3. Eletrônica flexível: GITO pode ser depositado em substratos flexíveis para fabricar eletrônicos vestíveis flexíveis.
4. Sensores: GITO pode ser usado como material sensível para vários sensores, como sensores de gás e biossensores.No geral, o GITO é um material promissor com aplicações potenciais em diversas indústrias devido às suas propriedades únicas.A pesquisa no GITO está em andamento e espera-se que desempenhe um papel importante no desenvolvimento de novas tecnologias.
Aplicativo
1. Preparação de arsenieto de gálio (GaAs), fosfato de gálio (GaP) e nitreto de gálio (GaN) para wireless
comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e célula solar de película fina CIGS
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados Nd-Fe-B
4. Liga de baixo ponto de fusão, preparação de Ga2O3 e chip semicondutor
comunicação, iluminação LED
2. Célula solar concentrada de GaAs e célula solar de película fina CIGS
3. Substância magnética e materiais magnéticos avançados Nd-Fe-B
4. Liga de baixo ponto de fusão, preparação de Ga2O3 e chip semicondutor
Especificação
produtos | GaInSn metal (Ga: In: Sn=68,5:21,5:10) | ||
Lote N º. | 22112502 | Quantidade | 100kg |
Data de fabricação: | 25 de novembro de 2022 | Data do teste: | 25 de novembro de 2022 |
Método de teste | Elemento | Concentração (ppm em peso) | |
Pureza | ≥99,99% | >99,99% | |
Análise ICP (ppm) | Fe | 6 | |
Cu | 5 | ||
Pb | 8 | ||
Bi | 5 | ||
Sb | 10 | ||
As | 5 | ||
Ag | 5 | ||
Zn | 2 | ||
Al | 5 | ||
Ni | 2 | ||
Ca | 2 | ||
Si | 10 | ||
Mg | 5 | ||
Marca | Época-Química |