Fabrikaren hornidura Metal likidoa Galio Indio Eztain aleazio Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Sarrera laburra
1. Produktuaren izena: purutasun handiko 99.99Galio-indio lataMetal likidoaGalinstan GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Formula: GaInSn
3. Garbitasuna: %99,99, %99,999
4. Edukia: Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 edo pertsonalizatua
5. Itxura: Silver White metal likidoa
Errendimendua
Eroankortasun termiko eta elektriko bikaina, propietate egonkorrak, seguruak eta ez-toxikoak
Plastikozko botilarako egokia da eta leku pixka bat utzi behar da, ezin da beirazko ontziekin ontziratu.
Galio Indio Ezta, GITO izenez ere ezaguna, Galio (Ga), Indio (In) eta Eztain (Sn)z osatutako aleazio ternarioa da.Propietate optiko eta elektriko doigarriak dituen material berezia da, eta hainbat aplikaziotarako aproposa da.GITOren aplikazio posible batzuk hauek dira:
1. Estaldura eroale gardena: GITO elektrodo eroale gardenetan oso erabilia den indio eztainu oxidoaren (ITO) ordezko potentzial gisa ikertzen ari da.Gardentasun handia eta erresistentzia baxua ditu, eta ezin hobea da pantaila lauetan, eguzki-zeluletan eta beste gailu optoelektronikoetan erabiltzeko.
2. Gailu termoelektrikoak: GITOk propietate termoelektriko onak ditu eta hondakin-beroa berreskuratzeko erabil daiteke hainbat aplikaziotan, hala nola automobilgintza eta aeroespazial industrian.
3. Elektronika malgua: GITO substratu malguetan metatu daiteke elektronika eramangarri malgua fabrikatzeko.
4. Sentsoreak: GITO hainbat sentsoretarako material sentikor gisa erabil daiteke, hala nola gas sentsoreetarako eta biosentsoreetarako.Orokorrean, GITO material itxaropentsua da hainbat industriatan aplikazio potentzialak dituena, bere propietate bereziengatik.GITOn ikerketak egiten ari dira eta teknologia berrien garapenean zeregin garrantzitsua izango duela espero da.
Aplikazio
1. Galio arseniuroa (GaAs), galio foshpidea (GaP) eta galio nitruroa (GaN) haririk gabekoetarako prestatzea
komunikazioa, LED argiztapena
2. GaAs eguzki-zelula kontzentratua eta CIGS film meheko eguzki-zelula
3. Substantzia magnetikoa eta Nd-Fe-B material magnetiko aurreratuak
4. Urtze-puntu baxuko aleazioa, Ga2O3 eta txip erdieroalea prestatzea
komunikazioa, LED argiztapena
2. GaAs eguzki-zelula kontzentratua eta CIGS film meheko eguzki-zelula
3. Substantzia magnetikoa eta Nd-Fe-B material magnetiko aurreratuak
4. Urtze-puntu baxuko aleazioa, Ga2O3 eta txip erdieroalea prestatzea
Zehaztapena
| Produktua | GaInSn metala (Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10) | ||
| Lote zk. | 22112502 | Kantitatea | 100kg |
| Fabrikazio data: | 2022ko azaroaren 25a | Proba data: | 2022ko azaroaren 25a |
| Proba metodoa | Elementua | Kontzentrazioa (ppm pisua) | |
| Garbitasuna | ≥%99,99 | > %99,99 | |
| ICP analisia (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marka | Garaia-Kim | ||
