Tovární dodávka Tekutý kov Gallium Indium Slitina cínu Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
Stručný úvod
1. Název produktu: Vysoká čistota 99,99Gallium Indium CínTekutý kovGalinstan GaInSn Ga68,5 In21,5Sn10
2. Vzorec: GaInSn
3. Čistota: 99,99 %, 99,999 %
4. Obsah: Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 nebo přizpůsobený
5. Vzhled: Stříbrný Bílý tekutý kov
Výkon
Vynikající tepelná a elektrická vodivost, stabilní vlastnosti, bezpečné a netoxické
Vhodné pro plastovou láhev a musí být ponechán určitý prostor, nelze jej zabalit do skleněných nádob.
Gallium Indium Cín, také známý jako GITO, je ternární slitina sestávající z galia (Ga), india (In) a cínu (Sn).Je to jedinečný materiál s laditelnými optickými a elektrickými vlastnostmi, díky čemuž je ideální pro různé aplikace.Některé možné aplikace GITO zahrnují:
1. Transparentní vodivý povlak: GITO zkoumá jako potenciální náhradu za oxid indium cínu (ITO), který je široce používán v transparentních vodivých elektrodách.Má vysokou průhlednost a nízký odpor, takže je ideální pro použití v plochých panelových displejích, solárních článcích a dalších optoelektronických zařízeních.
2. Termoelektrická zařízení: GITO má dobré termoelektrické vlastnosti a může být použito pro rekuperaci odpadního tepla v různých aplikacích, jako je automobilový a letecký průmysl.
3. Flexibilní elektronika: GITO lze nanést na flexibilní substráty a vyrobit tak flexibilní nositelnou elektroniku.
4. Senzory: GITO lze použít jako citlivý materiál pro různé senzory, jako jsou senzory plynu a biosenzory.Celkově je GITO slibný materiál s potenciálními aplikacemi v různých průmyslových odvětvích díky svým jedinečným vlastnostem.Výzkum v GITO pokračuje a očekává se, že bude hrát důležitou roli ve vývoji nových technologií.
aplikace
1. Příprava arsenidu galia (GaAs), fosfidu galia (GaP) a nitridu galia (GaN) pro bezdrátové připojení
komunikace, LED osvětlení
2. Koncentrovaný solární článek GaAs a tenkovrstvý solární článek CIGS
3. Magnetická látka a pokročilé magnetické materiály Nd-Fe-B
4. Slitina s nízkou teplotou tání, příprava Ga2O3 a polovodičového čipu
komunikace, LED osvětlení
2. Koncentrovaný solární článek GaAs a tenkovrstvý solární článek CIGS
3. Magnetická látka a pokročilé magnetické materiály Nd-Fe-B
4. Slitina s nízkou teplotou tání, příprava Ga2O3 a polovodičového čipu
Specifikace
| Produkt | Kov GaInSn ( Ga: In: Sn=68,5:21,5: 10 ) | ||
| č. šarže | 22112502 | Množství | 100 kg |
| Datum výroby: | 25. listopadu 2022 | Datum testu: | 25. listopadu 2022 |
| Testovací metoda | Živel | Koncentrace (ppm hm.) | |
| Čistota | ≥99,99 % | ＞99,99 % | |
| Analýza ICP (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Značka | Epoch-Chem | ||
