ఫ్యాక్టరీ సరఫరా ద్రవ లోహం గాలియం ఇండియం టిన్ మిశ్రమం Galinstan GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
సంక్షిప్త పరిచయం
1. ఉత్పత్తి పేరు: అధిక స్వచ్ఛత 99.99గాలియం ఇండియమ్ టిన్ద్రవ మెటల్గాలిన్స్టన్ GaInSn Ga68.5 In21.5Sn10
2. ఫార్ములా: GaInSn
3. స్వచ్ఛత: 99.99%, 99.999%
4. కంటెంట్: Ga: లో: Sn=68.5:21.5: 10 లేదా అనుకూలీకరించబడింది
5. స్వరూపం: సిల్వర్ వైట్ లిక్విడ్ మెటల్
ప్రదర్శన
అద్భుతమైన ఉష్ణ మరియు విద్యుత్ వాహకత, స్థిరమైన లక్షణాలు, సురక్షితమైన మరియు విషపూరితం
ప్లాస్టిక్ బాటిల్‌కు తగినది మరియు కొంత స్థలాన్ని వదిలివేయాలి, గాజు పాత్రలతో ప్యాక్ చేయబడదు.
GITO అని కూడా పిలువబడే గాలియం ఇండియమ్ టిన్, గాలియం (Ga), ఇండియం (ఇన్) మరియు టిన్ (Sn) లను కలిగి ఉన్న ఒక తృతీయ మిశ్రమం.ఇది ట్యూనబుల్ ఆప్టికల్ మరియు ఎలక్ట్రికల్ ప్రాపర్టీలతో కూడిన ప్రత్యేకమైన మెటీరియల్, ఇది వివిధ రకాల అప్లికేషన్‌లకు అనువైనది.GITO యొక్క కొన్ని సాధ్యమైన అనువర్తనాలు:
1. పారదర్శక వాహక పూత: GITO ఇండియమ్ టిన్ ఆక్సైడ్ (ITO)కి సంభావ్య ప్రత్యామ్నాయంగా పరిశోధిస్తోంది, ఇది పారదర్శక వాహక ఎలక్ట్రోడ్‌లలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.ఇది అధిక పారదర్శకత మరియు తక్కువ రెసిస్టివిటీని కలిగి ఉంది, ఇది ఫ్లాట్ ప్యానెల్ డిస్‌ప్లేలు, సౌర ఘటాలు మరియు ఇతర ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలలో ఉపయోగించడానికి అనువైనదిగా చేస్తుంది.
2. థర్మోఎలెక్ట్రిక్ పరికరాలు: GITO మంచి థర్మోఎలెక్ట్రిక్ లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు ఆటోమోటివ్ మరియు ఏరోస్పేస్ పరిశ్రమల వంటి వివిధ అనువర్తనాల్లో వ్యర్థ ఉష్ణ రికవరీ కోసం ఉపయోగించవచ్చు.
3. ఫ్లెక్సిబుల్ ఎలక్ట్రానిక్స్: ఫ్లెక్సిబుల్ వేరబుల్ ఎలక్ట్రానిక్స్‌ను రూపొందించడానికి GITO ఫ్లెక్సిబుల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై జమ చేయవచ్చు.
4. సెన్సార్లు: గ్యాస్ సెన్సార్లు మరియు బయోసెన్సర్లు వంటి వివిధ సెన్సార్ల కోసం GITO ఒక సున్నితమైన పదార్థంగా ఉపయోగించవచ్చు.మొత్తంమీద, GITO దాని ప్రత్యేక లక్షణాల కారణంగా వివిధ పరిశ్రమలలో సంభావ్య అనువర్తనాలతో ఒక మంచి మెటీరియల్.GITOలో పరిశోధన కొనసాగుతోంది మరియు కొత్త సాంకేతికతల అభివృద్ధిలో ముఖ్యమైన పాత్ర పోషిస్తుందని భావిస్తున్నారు.
అప్లికేషన్
1. వైర్‌లెస్ కోసం గాలియం ఆర్సెనైడ్(GaAs), గాలియం ఫాష్‌పైడ్(GaP) మరియు గాలియం నైట్రైడ్(GaN) తయారీ
కమ్యూనికేషన్, LED ప్రకాశం
2. GaAs సాంద్రీకృత సౌర ఘటం మరియు CIGS థిన్-ఫిల్మ్ సోలార్ సెల్
3. అయస్కాంత పదార్ధం మరియు Nd-Fe-B అధునాతన అయస్కాంత పదార్థాలు
4. తక్కువ ద్రవీభవన స్థానం మిశ్రమం, Ga2O3 మరియు సెమీకండక్టర్ చిప్ తయారీ
కమ్యూనికేషన్, LED ప్రకాశం
2. GaAs సాంద్రీకృత సౌర ఘటం మరియు CIGS థిన్-ఫిల్మ్ సోలార్ సెల్
3. అయస్కాంత పదార్ధం మరియు Nd-Fe-B అధునాతన అయస్కాంత పదార్థాలు
4. తక్కువ ద్రవీభవన స్థానం మిశ్రమం, Ga2O3 మరియు సెమీకండక్టర్ చిప్ తయారీ
స్పెసిఫికేషన్
| ఉత్పత్తి | GaInSn మెటల్ ( Ga: In: Sn=68.5:21.5: 10 ) | ||
| బ్యాచ్ నం. | 22112502 | పరిమాణం | 100కిలోలు |
| తయారీ తేదీ: | నవంబర్ 25, 2022 | పరీక్ష తేదీ: | నవంబర్ 25, 2022 |
| పరీక్ష పద్ధతి | మూలకం | ఏకాగ్రత (ppm wt) | |
| స్వచ్ఛత | ≥99.99% | 99.99% | |
| ICP విశ్లేషణ (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| బ్రాండ్ | ఎపోచ్-కెమ్ | ||
