Alimentation d'usine Liquide Metal Gallium Indium Tin Alloy Galinstan Gainsn GA68.5 in21.5SN10
Brève introduction
1. Nom du produit: haute pureté 99,99Gallium indium étain liquide métal Galinstan Gainn GA68.5 IN21.5SN10
2. Formule:Gainn
3. Pureté: 99,99%, 99,999%
4. Contenu: GA: dans: Sn = 68,5: 21,5: 10 ou personnalisé
5. Apparence: métal liquide blanc argenté
Performance
Excellente conductivité thermique et électrique, propriétés stables, sûres et non toxiques
Convient à la bouteille en plastique et doit être laissé de l'espace, ne peut pas être rempli de récipients en verre.
Gallium Indium Tin, également connu sous le nom de Gito, est un alliage ternaire composé de gallium (GA), d'indium (in) et d'étain (Sn). Il s'agit d'un matériau unique avec des propriétés optiques et électriques réglables, ce qui le rend idéal pour une variété d'applications. Certaines applications possibles de Gito comprennent:
1. Revêtement conducteur transparent: Gito étudie en tant que remplacement potentiel de l'oxyde d'étain indium (ITO), qui est largement utilisé dans les électrodes conductrices transparentes. Il a une transparence élevée et une faible résistivité, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des affichages à panneaux plat, des cellules solaires et d'autres dispositifs optoélectroniques.
2. Dispositifs thermoélectriques: Gito possède de bonnes propriétés thermoélectriques et peut être utilisé pour la récupération de la chaleur des déchets dans diverses applications telles que les industries automobiles et aérospatiales.
3. Électronique flexible: Gito peut être déposé sur des substrats flexibles pour fabriquer une électronique portable flexible.
4. Capteurs: Gito peut être utilisé comme matériau sensible pour divers capteurs tels que les capteurs de gaz et les biocapteurs. Dans l'ensemble, Gito est un matériau prometteur avec des applications potentielles dans diverses industries en raison de ses propriétés uniques. La recherche à Gito est en cours et devrait jouer un rôle important dans le développement de nouvelles technologies.
Application
1. Préparation de l'arséniure de gallium (GaAs), de Gallium Phoshpide (GAP) etNitrure de gallium(Gan) pour le sans fil
communication, éclairage conduit
2. GaAs Solar Concentrated Solar and CIGS Minfil Solar Cell
3. Substance magnétique et matériaux magnétiques avancés ND-FE-B
4. alliage de point de fusion bas, préparation de GA2O3 et puce à semi-conducteur
communication, éclairage conduit
2. GaAs Solar Concentrated Solar and CIGS Minfil Solar Cell
3. Substance magnétique et matériaux magnétiques avancés ND-FE-B
4. alliage de point de fusion bas, préparation de GA2O3 et puce à semi-conducteur
Spécification
| Produit | Gainn(GA: dans: sn = 68,5: 21,5: 10) | ||
| N ° de lot | 22112502 | Quantité | 100 kg |
| Date de fabrication: | 25 novembre 2022 | Date de test: | 25 novembre 2022 |
| Méthode d'essai | Élément | Concentration (ppm wt) | |
| Pureté | ≥99,99% | ＞ 99,99% | |
| Analyse ICP (PPM) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marque | Xinglu | ||
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