Fabréck Versuergung flësseg Metal Gallium Indium Zin-Galinstan Gainn Ga68,5 In21.5sn10
Kuerz Aféierung
1. Produktnumm: Héich Puritéit 99.99Gellium Indium tin flëssege Metal Galinstan Gainen Ga68.5 In21.5snn10
2. Formel:Gainen
3. Rengheet: 99.99%, 99.999%
4. Inhalt: Ga: A: Sn = 68.5: 21.5: 10 oder personaliséiert
5. Erscheinung: Sëlwer wäiss Flësseget Metal
Performech
Exzellent thermesch an elektresch Käschten, stabil Eegeschaften, sécher an net gëfteg
Geschësst fir eng Plastiksfläsch a muss e puer Plaz hannerlooss ginn, kann net mat Glasbehälter gepackt ginn.
Gallium Indium Tin, och bekannt als Gito, ass eng immesch Algolettist besteet aus Gallium (GA), Indium (in) an Zinn). Et ass en eenzegräicht Material mat tagesch selbstiniséieren an elektresch Eegeschafteren, et ass duerno vir speziell Approlungen. E puer méiglech Uwendungen vum Gito enthalen:
1. Transparent Luede Coating: Gito ënnersicht wéi e pensorent Ersatz fir Indium Tin oxid oxiden), déi wäit an transparte Käschten an transplantéierten Elektrizs benotzt gëtt. Et huet héich Transparenz an niddereg Resistenz, maacht et ideal fir an der flaach Panel-Affichage ze benotzen, Solktzellen, an aner Optoe-Apparater.
2. Thriomelloricoresch Geräck: Gito huet gutt Thriomelenesch Eegeschafter a kënne fir Offalluertformen benotzt ginn.
3. Flexibel Elektronik: Gito kann op flexibel Substraten deposéieren fir flexibel Elektraonikiker ze fabrikiséieren.
4. Sensoren: Gito kann als sensibelmaterial fir verschidde Sensoren benotzt ginn wéi de BIGensoren an Biosensoren. LET D'Gitance vun de potenzalen Uwendungen a verschiddenen Uümegeldung wier op hirer eenzegaarteger Eisenérratungen. Fuerschung zu Gito steet weider an ass erwaart datt hie wichteg Roll vun der Entwécklung vun neie Technologien ze spillen.
D'Applikatioun
1. Virbereedung vum Gallium ARSENID (GAAF), Gallium pholhps (Spalt) anGellium Nitride(Gan) fir Wireless
Kommunikatioun, huet d'Luucht gefouert
2. GaAhen konzentréiert Solarzell an Zigen dënn-Film Sole
3. Magnéitesch Substanz an ND-FE-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddreg Schmëlzpunkt Algoly, Virbereedung vu Ga2o3 an Semicondportor Chip
Kommunikatioun, huet d'Luucht gefouert
2. GaAhen konzentréiert Solarzell an Zigen dënn-Film Sole
3. Magnéitesch Substanz an ND-FE-B fortgeschratt magnetesch Materialien
4. Niddreg Schmëlzpunkt Algoly, Virbereedung vu Ga2o3 an Semicondportor Chip
Spezifizéierung
| Produktenzelel | Gainn Metal(Ga: An: SN = 68.5: 21.5: 10) | ||
| Batch Nee. | 22112502 | Quantitéit | 100 kg |
| Datum vun der Fabrikatioun: | Nov. 25, 2022 | Datum vum Test: | Nov. 25, 2022 |
| Test Method | Elements | Konzentratioun (ppm wt) | |
| Rengheet | ≥99.99% | > 99.99% | |
| ICP Analyse (ppm) | Fe | 6 | |
| Cu | 5 | ||
| Pb | 8 | ||
| Bi | 5 | ||
| Sb | 10 | ||
| As | 5 | ||
| Ag | 5 | ||
| Zn | 2 | ||
| Al | 5 | ||
| Ni | 2 | ||
| Ca | 2 | ||
| Si | 10 | ||
| Mg | 5 | ||
| Marbrung | Xinglu | ||
Verbënner Produkt:
Gallium oxide ga2o3 Pudder,Ga2s3 Gallium sulfide Pudder,Flësseg MetalGellium Indium Legierung Gewannen Metall
Schéckt eis Ufro fir ze kréienGallium Indium TinGalinstanGainn Präis
