Pris powdr Niobium Silicide NbSi2

Nodwedd oSilicid Niobium

Manyleb cynnyrch oSilicid Niobiumpowdr

Gradd nano (99.9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.

Gradd ficro (99.9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40nm, 45um, 75um, 150um, 200um, 300wm.

Mae paramedrau NiSi2 fel a ganlyn:
Cyfansoddiad cemegol: Si: 4.3%, Mg: 0.1%, y gweddill yw Ni

Dwysedd: 8.585g/cm3

Gwrthiant: 0.365 Q mm2/M
Cyfernod tymheredd ymwrthedd (20-100 ° C) 689x10 minws 6ed pŵer / KCoefficient ehangiad thermol (20-100 ° C) 17x10 minws 6ed pŵer / K
Dargludedd thermol (100 ° C) 27xwm pŵer negyddol cyntaf K pŵer negyddol cyntaf Pwynt toddi: 1309 ° c
Meysydd cais:
Silicon yw'r deunyddiau lled-ddargludyddion a ddefnyddir fwyaf.Mae amrywiaeth o silicidau metel wedi cael eu hastudio ar gyfer technoleg cyswllt a rhyng-gysylltiad o ddyfeisiau lled-ddargludyddion.MoSi2, WSl andNi2Si wedi cael eu cyflwyno i mewn i ddatblygiad microelectronic devices.These silicon-basedthin ffilmiau wedi cyfateb da gyda deunyddiau silicon, a gellir eu defnyddio ar gyfer inswleiddio, ynysu , goddefgarwch a rhyng-gysylltiad mewn dyfeisiau silicon, mae NiSi, fel y silicidematerial hunan-alinio mwyaf addawol ar gyfer dyfeisiau nanoraddfa, wedi'i astudio'n eang am ei golled silicon isel a'i gyllideb gwres ffurfiant isel, gwrthedd isel a dim effaith linewidth Mewn electrod graphene, gall nicel silicid oedi. digwyddiad o pulverization a chracio o electrod silicon, a gwella dargludedd ofthe electrode.The gwlychu a lledaenu effeithiau aloi nisi2 ar serameg SiC ar wahanol
ymchwiliwyd i dymheredd ac atmosffer.