Niobium Silicide NbSi2 powder nga Presyo

Feature saNiobium silicid

Detalye sa produkto saNiobium silicidpulbos

Nano nga grado(99.9%):10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.

Micro grado (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

Ang mga parameter sa NiSi2 mao ang mosunod:
Kemikal nga komposisyon: Si: 4.3%, Mg: 0.1%, ang uban mao ang Ni

Densidad: 8.585g/cm3

Pagsukol: 0.365 Q mm2 / M
Resistance temperature coefficient(20-100 ° C)689x10 minus 6th power / KCoefficient sa thermal expansion (20-100°C)17x10 minus 6th power / K
Thermal conductivity (100°C)27xwm negatibo unang gahum K negatibo unang gahumPagtunaw punto: 1309 °c
Mga natad sa aplikasyon:
Ang silikon mao ang labing kaylap nga gigamit nga mga materyales sa semiconductor.Usa ka lain-laing mga metal silicides ang gitun-an alang sa kontak ug interconnection teknolohiya sa semiconductor mga himan.MoSi2, WSl ugNi2Si gipaila-ila ngadto sa pagpalambo sa microelectronic mga himan.Kini nga silicon-based manipis nga mga pelikula adunay maayo nga pagpares sa silicon nga mga materyales, ug mahimong gamiton alang sa pagbulag, pagkalainlain. ,passivation ug interconnection sa silicon device, NiSi, ingon nga ang labing promising self-aligned silicidematerial alang sa nanoscale devices, kay kaylap nga gitun-an tungod sa ubos nga pagkawala sa silicon ug ubos nga formation sa init nga badyet, ubos nga resistivity ug walay linewidth nga epekto Sa graphene electrode, nickel silicide mahimong malangan ang panghitabo sa pulverization ug cracking sa silicon electrode, ug pagpalambo sa conductivity sa electrode.
Ang mga temperatura ug atmospera gisusi.