Niobija silicīda NbSi2 pulveris Cena
IezīmeNiobija silicīds
| Lieta | cits nosaukums | CAS | EINECS | molekulārais svars | kušanas punkts |
| NbSi2 | niobija silicīds;Niobija disilicīds | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940℃ |
Produkta specifikācijaNiobija silicīdspulveris
Nano pakāpe (99,9%): 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 80 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 800 nm.
Mikroklase (99,9%): 1 um, 3 um, 5 um, 10 um, 20 um, 30 um, 40 nm, 45 um, 75 um, 150 um, 200 um, 300 um.
NiSi2 parametri ir šādi:
Ķīmiskais sastāvs: Si: 4,3%, Mg: 0,1%, pārējais ir Ni
Blīvums: 8,585g/cm3
Pretestība: 0,365 Q mm2 / M
Pretestības temperatūras koeficients(20-100 °C)689x10 mīnus 6. jauda / K Termiskās izplešanās koeficients (20-100 ° C)17x10 mīnus 6. jauda / K
Siltumvadītspēja (100°C)27xwm negatīvā pirmā jauda K negatīvā pirmā jauda Kušanas temperatūra: 1309°c
Pieteikuma lauki:
Silīcijs ir visplašāk izmantotais pusvadītāju materiāls.Pusvadītāju ierīču kontaktu un starpsavienojumu tehnoloģijai ir pētīti dažādi metālu silicīdi. Mikroelektronisko ierīču izstrādē ir ieviesti MoSi2, WSl un Ni2Si. Šīm silīcija bāzes plānām plēvēm ir laba saderība ar silīcija materiāliem, un tās var izmantot izolācijai, izolācijai. ,pasivācija un savstarpēja savienošana silīcija ierīcēs, NiSi, kas ir visdaudzsološākais pašizlīdzinātais silicīda materiāls nanomēroga ierīcēm, ir plaši pētīts tā zemā silīcija zuduma un zemā veidošanās siltuma budžeta, zemās pretestības un bez līnijas platuma efekta dēļ. Grafēna elektrodā niķeļa silicīds var aizkavēt Silīcija elektroda pulverizācijas un plaisāšanas rašanās, kā arī uzlabo elektroda vadītspēju. Nisi2 sakausējuma mitrināšanas un izkliedēšanas ietekme uz SiC keramiku dažādos apstākļos
tika pētīta temperatūra un atmosfēra.
Sertifikāts：
Ko mēs varam nodrošināt：
