ລາຄາຜົງ Niobium Silicide NbSi2

ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ຂອງ​Niobium Silicide

ສະ​ເພາະ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ຂອງ​Niobium Silicideຜົງ

ເກຣດນາໂນ(99.9%):10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.

ເກຣດຈຸນລະພາກ(99.9%):1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

ຕົວກໍານົດການຂອງ NiSi2 ມີດັ່ງນີ້:
ອົງປະກອບທາງເຄມີ: Si: 4.3%, Mg: 0.1%, ສ່ວນທີ່ເຫຼືອແມ່ນ Ni

ຄວາມຫນາແຫນ້ນ: 8.585g / cm3

ຄວາມຕ້ານທານ: 0.365 Q mm2 / M
ຕົວຄູນອຸນຫະພູມຄວາມຕ້ານທານ (20-100 ° C) 689x10 ລົບພະລັງງານທີ 6 / KCoefficient ຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນ (20-100 ° C) 17x10 ລົບພະລັງງານທີ 6 / K
ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ (100°C​) 27xwm ລົບ​ພະ​ລັງ​ງານ​ທໍາ​ອິດ K ລົບ​ພະ​ລັງ​ງານ​ທໍາ​ອິດ​ຈຸດ​ເຊື່ອມ​ຕໍ່​: 1309°c
ຊ່ອງຂໍ້ມູນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:
ຊິລິໂຄນແມ່ນວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດ.ຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງຊິລິໂຄນໂລຫະໄດ້ຖືກສຶກສາສໍາລັບເຕັກໂນໂລຢີການຕິດຕໍ່ແລະການເຊື່ອມຕໍ່ກັນຂອງອຸປະກອນ semiconductor.MoSi2, WSl ແລະNi2Si ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີເຂົ້າໃນການພັດທະນາອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ. ຮູບເງົາທີ່ອີງໃສ່ຊິລິຄອນເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມສອດຄ່ອງທີ່ດີກັບວັດສະດຸຊິລິໂຄນ, ແລະສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບການ insulation, isolation. , passivation ແລະ interconnection ໃນອຸປະກອນຊິລິໂຄນ, NiSi, ເປັນ silicidematerials ສອດຄ່ອງຕົນເອງທີ່ໂດດເດັ່ນທີ່ສຸດສໍາລັບອຸປະກອນ nanoscale, ໄດ້ຖືກສຶກສາຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບການສູນເສຍຊິລິໂຄນຕ່ໍາແລະງົບປະມານການສ້າງຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາແລະບໍ່ມີຜົນກະທົບ linewidth ໃນ electrode graphene, nickel silicide ສາມາດຊັກຊ້າ. ການປະກົດຕົວຂອງ pulverization ແລະ cracking ຂອງ electrode ຊິລິໂຄນ, ແລະປັບປຸງການນໍາຂອງ electrode. ຜົນກະທົບຂອງການປຽກແລະການແຜ່ກະຈາຍຂອງໂລຫະປະສົມ nisi2 ກ່ຽວກັບ SiC ceramics ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.
ອຸນຫະພູມແລະບັນຍາກາດໄດ້ຖືກສືບສວນ.