Нархи хокаи Niobium Silicide NbSi2

ХусусиятиСиликсиди ниобий

Мушаххасоти маҳсулот азСиликсиди ниобийхока

Синфи нано (99,9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.

Синфи хурд (99,9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40um, 45um, 75um, 150um, 200um, 300um.

Параметрҳои NiSi2 чунинанд:
Таркиби химиявӣ: Si: 4,3%，Mg:0,1%, боқимонда Ni

Зичӣ: 8,585 г/см3

Муқовимат: 0,365 Q mm2 / М
Коэффисиенти ҳарорати муқовимат (20-100 ° C) 689x10 минуси қувваи 6-ум / ККоэффисиенти васеъшавии гармӣ (20-100 ° C) 17x10 минуси қувваи 6 / К
Қобилияти гармидиҳӣ (100 ° C) 27xwm манфии қувваи аввал K манфии қувваи аввал Нуқтаи обшавӣ: 1309 °c
Майдонҳои дархост:
Силикон маводи нимноқилӣ аз ҳама васеъ истифодашаванда мебошад.Барои технологияи тамос ва пайвастагии дастгоҳҳои нимноқилӣ силицидҳои гуногуни металлӣ омӯхта шудаанд. MoSi2, WSl ва Ni2Si дар таҳияи дастгоҳҳои микроэлектронӣ ҷорӣ карда шуданд. Ин плёнкаҳои тунуки кремний бо маводи кремний мувофиқати хуб доранд ва онҳоро барои изолятсия, изолятсия истифода бурдан мумкин аст. , пассиватсия ва пайвастшавӣ дар дастгоҳҳои кремний, NiSi, ҳамчун ояндадортарин маводи силитсидӣ барои дастгоҳҳои наномикёс, барои талафоти ками кремний ва буҷаи гармии ташаккул, муқовимати паст ва таъсири паҳнии хат дар электроди графен, силисиди никел метавонад ба таври васеъ омӯхта шудааст. пайдоиши пошидан ва шикастани электроди кремний ва беҳтар кардани гузарониши электрод. Таъсири тар кардан ва паҳн кардани хӯлаи nisi2 дар сафолҳои SiC дар сатҳи гуногун
харорат ва атмосфера тахкик карда шуданд.