ניאָביום סיליסידע נבסי2 פּודער פּרייַז

שטריך פוןניאָביום סיליסידע

פּראָדוקט באַשרייַבונג פוןניאָביום סיליסידעפּודער

נאַנאָ מיינונג (99.9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.

מיקראָ מיינונג (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

די פּאַראַמעטערס פון NiSi2 זענען ווי גייט:
כעמישער זאַץ: סי: 4.3%, מג: 0.1%, די מנוחה איז ני

געדיכטקייַט: 8.585g/cm3

קעגנשטעל: 0.365 Q mm2 / M
קעגנשטעל טעמפּעראַטור קאָואַפישאַנט (20-100 ° C) 689 קס 10 מינוס 6 מאַכט / ק קאָואַפישאַנט פון טערמאַל יקספּאַנשאַן (20-100 ° C) 17 קס 10 מינוס 6 מאַכט / ק
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (100 ° C) 27xwm נעגאַטיוו ערשטער מאַכט ק נעגאַטיוו ערשטער מאַכט מעלטינג פונט: 1309 ° C
אַפּפּליקאַטיאָן פעלדער:
סיליציום איז די מערסט וויידלי געניצט סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס.א פאַרשיידנקייַט פון מעטאַל סיליסיידז האָבן שוין געלערנט פֿאַר קאָנטאַקט און ינטערקאַנעקשאַן טעכנאָלאָגיע פון ​​סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס. Mosi2, WSl און Ni2Si האָבן שוין באַקענענ אין דער אַנטוויקלונג פון מיקראָעלעקטראָניק דעוויסעס. , פּאַסיוויישאַן און ינטערקאַנעקשאַן אין סיליציום דעוויסעס, NiSi, ווי די מערסט פּראַמאַסינג זיך-אַליינד סיליסידע מאַטעריאַל פֿאַר נאַנאָסקאַלע דעוויסעס, איז וויידלי געלערנט פֿאַר זייַן נידעריק סיליציום אָנווער און נידעריק פאָרמירונג היץ בודזשעט, נידעריק רעסיסטיוויטי און קיין לינעווידט ווירקונג אין גראַפענע ילעקטראָוד, ניקאַל סיליסייד קענען פאַרהאַלטן די פּאַסירונג פון פּולוועריזאַטיאָן און קראַקינג פון סיליציום ילעקטראָוד און פֿאַרבעסערן די קאַנדאַקטיוואַטי פון די ילעקטראָוד.
טעמפּעראַטורעס און אַטמאָספערעס זענען ינוועסטאַד.