តម្លៃម្សៅ Niobium Silicide NbSi2

លក្ខណៈពិសេសនៃNiobium Silicide

ការបញ្ជាក់ផលិតផលរបស់Niobium Silicideម្សៅ

ថ្នាក់ណាណូ(99.9%)៖ 10nm, 20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm។

កម្រិតមីក្រូ (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រនៃ NiSi2 មានដូចខាងក្រោម:
សមាសធាតុគីមី៖ ស៊ី៖ ៤,៣%, Mg៖ ០,១%, នៅសល់គឺនី

ដង់ស៊ីតេ: 8.585 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3

ធន់ទ្រាំ: 0.365 Q mm2 / M
មេគុណសីតុណ្ហភាពធន់ទ្រាំ (20-100 ° C) 689x10 ដកថាមពលទី 6 / KCoefficient នៃការពង្រីកកំដៅ (20-100 ° C) 17x10 ដកថាមពលទី 6 / K
ចរន្តកំដៅ (100°C) 27xwm ថាមពលអវិជ្ជមាន K ថាមពលអវិជ្ជមានដំបូង ចំណុចរលាយ: 1309°c
វាលកម្មវិធី៖
ស៊ីលីកុនគឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយបំផុត។សារធាតុស៊ីលីកុនដែកជាច្រើនប្រភេទត្រូវបានសិក្សាសម្រាប់បច្ចេកវិទ្យាទំនាក់ទំនង និងអន្តរទំនាក់ទំនងនៃឧបករណ៍ semiconductor។MoSi2, WSl និងNi2Si ត្រូវបានបញ្ចូលទៅក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍ឧបករណ៍មីក្រូអេឡិចត្រូនិច។ ខ្សែភាពយន្តស្តើងដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុនទាំងនេះមានភាពស៊ីគ្នាល្អជាមួយវត្ថុធាតុដើមស៊ីលីកុន ហើយអាចប្រើសម្រាប់អ៊ីសូឡង់ ភាពឯកោ។ ភាពអសកម្ម និងការភ្ជាប់គ្នានៅក្នុងឧបករណ៍ស៊ីលីកុន NiSi ជាវត្ថុធាតុស៊ីលីកុនដែលបានតម្រឹមដោយខ្លួនឯងដ៏ជោគជ័យបំផុតសម្រាប់ឧបករណ៍ខ្នាតណាណូ ត្រូវបានសិក្សាយ៉ាងទូលំទូលាយសម្រាប់ការបាត់បង់ស៊ីលីកុនទាប និងថវិកាបង្កើតកំដៅទាប ធន់ទ្រាំទាប និងមិនមានឥទ្ធិពលលើខ្សែបន្ទាត់ក្នុងអេឡិចត្រូតក្រាហ្វិន ស៊ីលីកុននីកែលអាចពន្យារពេល ការកើតឡើងនៃការរលាយ និងការបំបែកនៃអេឡិចត្រូតស៊ីលីកុន និងធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវចរន្តនៃអេឡិចត្រូត។ ផលប៉ះពាល់នៃការសើម និងការរីករាលដាលនៃយ៉ាន់ស្ព័រ nisi2 លើសេរ៉ាមិច SiC នៅភាពខុសគ្នា
សីតុណ្ហភាព និងបរិយាកាសត្រូវបានស៊ើបអង្កេត។