Presyo ng pulbos ng Niobium Silicide NbSi2

Tampok ngNiobium Silicido

Detalye ng produkto ngNiobium Silicidopulbos

Nano grade(99.9%):10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.

Micro grade(99.9%):1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

Ang mga parameter ng NiSi2 ay ang mga sumusunod:
Komposisyon ng kemikal: Si: 4.3%，Mg:0.1%, ang natitira ay Ni

Densidad: 8.585g/cm3

Paglaban: 0.365 Q mm2 / M
Resistance temperature coefficient(20-100 ° C)689x10 minus 6th power / KCoefficient ng thermal expansion (20-100° C)17x10 minus 6th power / K
Thermal conductivity (100° C)27xwm negatibong unang kapangyarihan K negatibong unang kapangyarihanMelting point: 1309 °c
Mga patlang ng aplikasyon:
Ang silikon ay ang pinaka-tinatanggap na ginagamit na mga materyales ng semiconductor.Ang iba't ibang mga metal silicides ay pinag-aralan para sa contact at interconnection na teknolohiya ng mga semiconductor device. Ang MoSi2, WSl at Ni2Si ay ipinakilala sa pagbuo ng mga microelectronic na aparato. Ang mga silicon-based na manipis na pelikula ay may magandang pagtutugma sa mga materyales ng silikon, at maaaring gamitin para sa pagkakabukod, paghihiwalay ,passivation at interconnection sa mga aparatong silicon, NiSi, bilang ang pinaka-promising na self-aligned na silicidematerial para sa mga nanoscale device, ay malawak na pinag-aralan para sa mababang pagkawala ng silikon at mababang pagbuo ng init na badyet, mababang resistivity at walang linewidth na epekto Sa graphene electrode, ang nickel silicide ay maaaring maantala ang paglitaw ng pulverization at pag-crack ng silicon electrode, at pagbutihin ang conductivity ng electrode. Ang basa at pagkalat ng mga epekto ng nisi2 alloy sa SiC ceramics sa iba't ibang
ang mga temperatura at atmospera ay sinisiyasat.