Niobium Silicide NbSi2 poeder Prijs

Kenmerk vanNiobiumsilicide

Productspecificatie vanNiobiumsilicidepoeder

Nanokwaliteit (99,9%): 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 80 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 800 nm.

Microkwaliteit (99,9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40 nm, 45um, 75um, 150um, 200um, 300um.

De parameters van NiSi2 zijn als volgt:
Chemische samenstelling: Si: 4,3%, Mg: 0,1%, de rest is Ni

Dichtheid: 8,585 g/cm3

Weerstand: 0,365 Q mm2/M
Weerstandstemperatuurcoëfficiënt (20-100 ° C)689x10 minus 6e macht / K Thermische uitzettingscoëfficiënt (20-100 ° C)17x10 minus 6e macht / K
Thermische geleidbaarheid (100° C)27xwm negatieve eerste macht K negatieve eerste macht Smeltpunt: 1309 °c
Toepassingsgebieden:
Silicium is het meest gebruikte halfgeleidermateriaal.Er is onderzoek gedaan naar een verscheidenheid aan metaalsiliciden voor de contact- en verbindingstechnologie van halfgeleiderapparaten. MoSi2, WSl en Ni2Si zijn geïntroduceerd in de ontwikkeling van micro-elektronische apparaten. Deze op silicium gebaseerde dunne films passen goed bij siliciummaterialen en kunnen worden gebruikt voor isolatie, isolatie Passivering en interconnectie in siliciumapparaten is NiSi, als het meest veelbelovende zelfuitlijnende silicidemateriaal voor apparaten op nanoschaal, uitgebreid bestudeerd vanwege het lage siliciumverlies en het lage warmtebudget bij de vorming, de lage weerstand en het ontbreken van lijnbreedte-effect. In grafeenelektroden kan nikkelsilicide het proces vertragen. het voorkomen van verpulvering en barsten van de siliciumelektrode, en verbetert de geleidbaarheid van de elektrode. De bevochtigings- en verspreidingseffecten van nisi2-legering op SiC-keramiek bij verschillende
temperaturen en atmosferen werden onderzocht.