Siliciuro de niobio NbSi2 en po Prezo

Característica deSiliciuro de niobio

Especificación do produtoSiliciuro de niobiopo

Grao nano (99,9%): 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 80 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm, 500 nm, 800 nm.

Grao micro (99,9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

Os parámetros de NiSi2 son os seguintes:
Composición química: Si: 4,3%, Mg: 0,1%, o resto é Ni

Densidade: 8,585 g/cm3

Resistencia: 0,365 Q mm2/M
Coeficiente de temperatura de resistencia (20-100 °C)689x10 menos 6ª potencia/KCoeficiente de expansión térmica (20-100 °C)17x10 menos 6ª potencia/K
Condutividade térmica (100°C)27xwm potencia negativa inicial K potencia negativa primera Punto de fusión: 1309°c
Campos de aplicación:
O silicio é os materiais semicondutores máis utilizados.Estudáronse unha variedade de siliciuros metálicos para a tecnoloxía de contacto e interconexión de dispositivos semicondutores. MoSi2, WSl e Ni2Si foron introducidos no desenvolvemento de dispositivos microelectrónicos. Estas películas finas a base de silicio teñen unha boa combinación con materiais de silicio e pódense usar para illamento, illamento. ,Pasivación e interconexión en dispositivos de silicio, NiSi, como o material de silicio auto-aliñado máis prometedor para dispositivos a nanoescala, foi amplamente estudado pola súa baixa perda de silicio e baixo orzamento de calor de formación, baixa resistividade e ningún efecto de ancho de liña. No electrodo de grafeno, o siliciuro de níquel pode atrasar o aparición de pulverización e rachaduras do electrodo de silicio e mellorar a condutividade do electrodo. Os efectos de humectación e propagación da aliaxe de nisi2 en cerámicas de SiC en diferentes
investigáronse as temperaturas e as atmosferas.