Niobium Silicide NbSi2 pulveris Price
Pluma ofNiobium Silicide
| Item | aliud nomen | CAS | EINECS | hypothetica pondus | liquescens punctum |
| NbSi2 | Niobium silicide;Niobium disilicide | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940℃ |
Product speciemNiobium Silicidepulvis
Nano gradus (99.9%): 10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.
Micro gradus (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.
NiSi2 parametri sunt;
Compositio chemica: Si: 4.3%，Mg:0.1%, cetera Ni
Densitas: 8.585g/cm3
Resistentia: 0.365 Q mm2 / M
Resistentia temperaturae coefficiens (20-100 ° C) 689x10 minus 6 potentia / KCoefficientis expansionis scelerisque (20-100° C) 17x10 minus 6th potentia / K
Sceleris conductivity (100° C) 27xwm negans prima potentia K negativa prima powerMelting point: 1309 °c
Applicationem agrorum;
Silicon est latissime usitata materia semiconductoris.Varii silicides metallicae ad contactum et connexionem technologiarum semiconductorium machinis studuerunt. MoSi2, WSl andNi2Si in progressionem machinarum microelectronicarum introducta sunt. Hae membranae silicon-fundatae bonam adaptationem cum materiis siliconibus habent et adhiberi possunt ad insulationem, solitudo. ,Passivatio et connexio in machinis Pii, NiSi, ut fidelissimae silicidemateriales sui in machinationibus nanoscales, late quaesitum est propter humilem iacturam et humilem formationis praevisionem, humilis resistivitatis et nullum lineum effectum In graphene electrode, nickel silicidium morari potest. Eventum pulverationis et creptionis electrodis pii, et conductivity of the electrode emendavit. Weting et dilatatio effectus nisi2 mixturae in ceramicis SiC in diversis.
temperaturae et atmosphaerae exploratae sunt.
Testimonium.
Quod possumus providere.
