ნიობიუმის სილიციდი NbSi2 ფხვნილი ფასი
თვისებანიობიუმის სილიციდი
| ელემენტი | სხვა სახელი | CAS | EINECS | მოლეკულური წონა | დნობის წერტილი |
| NbSi2 | ნიობიუმის სილიციდი;ნიობიუმის დიზილიციდი | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940 ℃ |
პროდუქტის სპეციფიკაციანიობიუმის სილიციდიფხვნილი
ნანო კლასი (99.9%): 10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.
მიკრო კლასი (99.9%): 1 მმ, 3 მმ, 5 მმ, 10 მმ, 20 მმ, 30 მმ, 40 ნმ, 45 მმ, 75 მმ, 150 მმ, 200 მმ, 300 მმ.
NiSi2-ის პარამეტრები შემდეგია:
ქიმიური შემადგენლობა: Si: 4,3%, Mg: 0,1%, დანარჩენი არის Ni
სიმკვრივე: 8,585 გ/სმ3
წინააღმდეგობა: 0,365 Q მმ2/მ
წინააღმდეგობის ტემპერატურის კოეფიციენტი(20-100 ° C)689x10 მინუს მე-6 სიმძლავრე / K თერმული გაფართოების კოეფიციენტი (20-100 ° C) 17x10 მინუს მე-6 სიმძლავრე / K
თბოგამტარობა (100°C)27xwm უარყოფითი პირველი სიმძლავრე K უარყოფითი პირველი სიმძლავრე დნობის წერტილი: 1309 °c
განაცხადის ველები:
სილიკონი არის ყველაზე ფართოდ გამოყენებული ნახევარგამტარული მასალა.სხვადასხვა ლითონის სილიციდები იქნა შესწავლილი ნახევარგამტარული მოწყობილობების კონტაქტისა და ურთიერთდაკავშირების ტექნოლოგიისთვის.MoSi2, WSl დაNi2Si იქნა დანერგილი მიკროელექტრონული მოწყობილობების განვითარებაში. სილიკონზე დაფუძნებულ თხელ ფირებს აქვთ კარგი შესატყვისი სილიკონის მასალებთან და შეიძლება გამოყენებულ იქნას იზოლაციისთვის, იზოლაციისთვის. პასივაცია და ურთიერთდაკავშირება სილიკონის მოწყობილობებში, NiSi, როგორც ყველაზე პერსპექტიული თვითგანლაგებული სილიციდური მასალა ნანომასშტაბიანი მოწყობილობებისთვის, ფართოდ იქნა შესწავლილი მისი დაბალი სილიციუმის დაკარგვისა და დაბალი სითბოს ფორმირების ბიუჯეტის, დაბალი წინააღმდეგობისა და ხაზის სიგანის ეფექტის გარეშე გრაფენის ელექტროდში, ნიკელის სილიციდს შეუძლია შეანელოს სილიციუმის ელექტროდის დაფხვიერებისა და დაბზარვის წარმოქმნა და ელექტროდის გამტარობის გაუმჯობესება. Nisi2 შენადნობების დამასველებელი და გავრცელების ეფექტი SiC კერამიკაზე სხვადასხვა
გამოკვლეული იყო ტემპერატურა და ატმოსფერო.
Სერტიფიკატი:
რისი მიწოდება შეგვიძლია:
