Vidin'ny vovoka Niobium Siliicide NbSi2

Feature nyNiobium silicid

Product specification nyNiobium silicidvovoka

Nano grade (99.9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm.

Micro kilasy (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.

Ny mason'ny NiSi2 dia toy izao manaraka izao:
Chemical composition: Si: 4.3%, Mg: 0.1%, ny sisa dia Ni

Haavo: 8.585g/cm3

fanoherana: 0,365 Q mm2 / M
Coefficient hafanana fanoherana(20-100 ° C)689x10 minus hery faha-6 / KCefficient ny fanitarana mafana (20-100° C)17x10 minus hery faha-6 / K
Fitaterana mafana (100° C)27xwm hery voalohany ratsy K hery voalohany ratsy Hery levona: 1309 °c
saha fampiharana:
Silicon no fitaovana semiconductor be mpampiasa indrindra.Ny silicides metaly isan-karazany dia nodinihina ho an'ny teknolojia fifandraisana sy fifandraisana amin'ny fitaovana semiconductor.MoSi2, WSl ary Ni2Si dia nampidirina tao amin'ny fampivoarana ny fitaovana microelectronic. Ireo sarimihetsika matevina mifototra amin'ny silisiôma ireo dia mifanentana tsara amin'ny fitaovana silisiôma, ary azo ampiasaina amin'ny insulation, fitokanana. , passivation sy interconnection amin'ny fitaovana silisiôma, NiSi, ho toy ny tena mampanantena silicidematerial mifanaraka tena ho an'ny nanoscale fitaovana, dia nodinihina be dia be noho ny ambany fatiantoka silisiôma sy ny formation hafanana ambany teti-bola, ambany resistivity ary tsy misy linewidth vokany Ao amin'ny graphene electrode, nikela silicide mety hanemotra ny Ny fisian'ny pulverization sy ny famoretana ny silisiôma electrode, ary manatsara ny conductivity ny electrode. Ny mando sy ny fielezan'ny nisi2 firaka amin'ny SiC seramika amin'ny samy hafa.
nohadihadiana ny maripana sy ny atmosfera.