د Niobium Silicide NbSi2 پاؤډ قیمت
د ځانګړتیاووNiobium Silicide
| توکي | بل نوم | CAS | EINECS | مالیکولر وزن | د وېلې کېدو نقطه |
| NbSi2 | د نیوبیوم سیلیکایډ؛Niobium disilicide | 12034-80-9 | 234-812-3 | 149.0774 | 1940℃ |
د محصول مشخصاتNiobium Silicideپوډر
نانو درجه (99.9٪): 10nm,20nm,30nm,40nm,50nm,80nm,100nm,200nm,300nm,500nm,800nm.
کوچني درجې (99.9%): 1um,3um,5um,10um,20um,30um,40nm,45um,75um,150um,200um,300um.
د NiSi2 پیرامیټونه په لاندې ډول دي:
کیمیاوي ترکیب: Si: 4.3٪، Mg: 0.1٪، پاتې نور Ni دي
کثافت: 8.585g/cm3
مقاومت: 0.365 Q mm2 / M
د مقاومت د تودوخې کوفینټ (20-100 ° C) 689x10 منفي شپږم بریښنا / K د حرارتي توسعې کثافات (20-100 ° C) 17x10 منفي شپږم بریښنا / K
حرارتي چالکتیا (100 ° C) 27xwm منفي لومړی بریښنا K منفي لومړی بریښنا د خټکي نقطه: 1309 ° C
د غوښتنلیک ساحې:
سیلیکون ترټولو پراخه کارول شوي سیمیکمډکټر توکي دي.د سیمیکمډکټر وسیلو د تماس او یو بل سره نښلولو ټیکنالوژۍ لپاره ډیری فلزي سیلیکایډونه مطالعه شوي. MoSi2، WSl اوNi2Si د مایکرو الیکټرانیک وسیلو په پراختیا کې معرفي شوي. دا د سیلیکون پر بنسټ پتلی فلمونه د سیلیکون موادو سره ښه مطابقت لري، او د موصلیت، جلا کولو لپاره کارول کیدی شي. په سیلیکون وسیلو کې جذب او یو له بل سره پیوستون، NiSi، د نانوسکل وسیلو لپاره د ځان سره تړلي سلیکاید موادو په توګه په پراخه کچه مطالعه شوي چې د سیلیکون ټیټ ضایع او د تودوخې ټیټه بودیجه، ټیټ مقاومت او د لین ویډ اغیز نه لري، په ګرافین الکتروډ کې، نکل سیلیکایډ کولی شي کم کړي. د سیلیکون الیکټروډ د pulverization او کریک کولو واقع کیږي، او د الکترود چالکتیا ته وده ورکوي. په مختلف سیرامیکونو کې د nisi2 الیاژ لوند او خپریدو اغیزې
د حرارت درجه او اتموسفیر څیړل شوي.
سند:
هغه څه چې موږ یې چمتو کولی شو:
