Niobium Silisid NbSi2 poroşokyň bahasy

AýratynlygyNiobium silisid

Önümiň spesifikasiýasyNiobium silisidporoşok

Nano derejesi (99,9%): 10nm, 20nm, 30nm, 40nm, 50nm, 80nm, 100nm, 200nm, 300nm, 500nm, 800nm

Mikro derejesi (99,9%): 1um, 3um, 5um, 10um, 20um, 30um, 40nm, 45um, 75um, 150um, 200um, 300um.

NiSi2-iň parametrleri aşakdakylar:
Himiki düzümi: Si: 4.3% ， Mg: 0,1%, galanlary Ni

Dykyzlygy: 8.585g / cm3

Garşylyk: 0.365 Q mm2 / M.
Garşylyk temperatura koeffisiýenti (20-100 ° C) 689x10 minus 6-njy güýç / KC ýylylyk giňelişiniň koeffisienti (20-100 ° C) 17x10 minus 6-njy güýç / K
Malylylyk geçirijiligi (100 ° C) 27xwm otrisatel birinji güýç K negatiw ilkinji güýçMelt nokady: 1309 ° c
Programma meýdanlary:
Silikon iň köp ulanylýan ýarymgeçiriji materialdyr.Ondarymgeçiriji enjamlaryň aragatnaşyk we özara baglanyşyk tehnologiýasy üçin dürli metal silisidler öwrenildi .MoSi2, WSl weNi2Si mikroelektron enjamlarynyň ösüşine girizildi. Bu kremniý esasly filmler kremniniň materiallary bilen gowy gabat gelýär we izolýasiýa, izolýasiýa üçin ulanylyp bilner. , kremniý enjamlarynda passiwasiýa we özara baglanyşyk, NiSi, nanoskale enjamlary üçin iň geljegi uly öz-özüne laýyk gelýän silisidematerial hökmünde, pes kremniniň ýitmegi we pes emele geliş býudjeti, pes garşylygy we çyzykly täsiri ýoklugy sebäpli giňden öwrenildi Grafen elektrodynda nikel silisidi gijikdirip biler kremniý elektrodyň pulwerizasiýasynyň we ýarylmagynyň ýüze çykmagy we elektrodyň geçirijiligini ýokarlandyrmak. Nisi2 garyndysynyň SiC keramikasyna çyglylygy we ýaýramagy
temperatura we atmosfera derňeldi.